[發明專利]半導體封裝方法有效
| 申請號: | 201910760729.1 | 申請日: | 2019-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN112397400B | 公開(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發明(設計)人: | 周輝星 | 申請(專利權)人: | 矽磐微電子(重慶)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人: | 曾鶯華 |
| 地址: | 401331 重*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 方法 | ||
1.一種半導體封裝方法,其特征在于,其包括:
在載板上形成粘接層,在所述粘接層上劃分多個排布區和空白區,所述空白區設置在所述排布區周圍;
在所述空白區設置定位孔,所述定位孔位于所述排布區的外周緣區域;
根據所述定位孔的位置,將待封裝芯片貼裝于所述排布區內;
形成包封層,所述包封層覆蓋在所述粘接層上,且所述包封層的至少一部分被填充于所述定位孔內形成定位凸柱,所述包封層用于包封住所述待封裝芯片;
在形成包封層之后,所述方法包括:
剝離所述載板,露出多個所述待封裝芯片的正面;
根據所述定位凸柱的位置,在所述待封裝芯片的正面形成再布線結構,所述再布線結構用于將所述待封裝芯片的正面的焊墊引出。
2.如權利要求1所述的半導體封裝方法,其特征在于,所述排布區為矩形,所述定位孔沿所述排布區的對角線的延伸線設置;或,
所述定位孔對應于所述排布區的四個角設置。
3.如權利要求1所述的半導體封裝方法,其特征在于,所述定位孔的深度小于或等于所述粘接層的厚度。
4.如權利要求1所述的半導體封裝方法,其特征在于,形成所述包封層的材料為液態顆粒狀塑封材料。
5.如權利要求1所述的半導體封裝方法,其特征在于,在形成包封層、以及形成定位凸柱時,所采用的工作溫度為130℃~175℃。
6.如權利要求1所述的半導體封裝方法,其特征在于,在形成包封層、以及形成定位凸柱時,通過加壓使所述包封層的材料進入所述定位孔。
7.如權利要求1所述的半導體封裝方法,其特征在于,所述定位孔的形狀為矩形。
8.如權利要求1所述的半導體封裝方法,其特征在于,在所述待封裝芯片的正面形成再布線結構中,所述再布線結構位于所述待封裝芯片與所述定位凸柱之間;
在所述待封裝芯片的正面形成再布線結構之后,所述方法包括:
沿所述定位凸柱靠近所述再布線結構的一側,將整個封裝結構切割成多個封裝體。
9.如權利要求1所述的半導體封裝方法,其特征在于,在形成包封層之后,剝離所述載板之前,所述方法包括:
在所述包封層遠離所述載板的第一表面貼裝支撐層。
10.如權利 要求9所述的半導體封裝方法,其特征在于,在所述待封裝芯片的正面形成再布線結構之后,所述方法包括:
剝離所述支撐層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





