[發明專利]一種抗飽和隔磁片及其制備方法在審
| 申請號： | 201910760046.6 | 申請日： | 2019-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN110581014A | 公開（公告）日： | 2019-12-17 |
| 發明（設計）人： | 錢江華;徐可心;林濤;吳長和;馬飛;郭慶文 | 申請（專利權）人： | 藍沛光線(上海)電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01F41/02 | 分類號： | H01F41/02;H01F27/36;H01F38/14;H02J50/70;H02J50/10 |
| 代理公司： | 31272 上海申新律師事務所 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 201500 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基材 隔磁片 磁芯 制備 抗飽和 納米晶軟磁材料 貼合處理 熱處理 飽和電流 破碎處理 無線充電 雙面膠 分切 輥壓 輥軸 卷繞 模切 半成品 合成 應用 生產 | ||
1.一種抗飽和隔磁片的制備方法，其特征在于，所述抗飽和隔磁片應用于無線充電領域；
所述制備方法包括下述步驟：
步驟S1，對納米晶軟磁材料進行分切處理和卷繞處理，得到第一磁芯；
步驟S2，對所述第一磁芯進行熱處理，得到第二磁芯；
步驟S3，將所述第二磁芯與雙面膠進行貼合處理，得到第一基材；
步驟S4，采用特制輥軸對所述第一基材進行輥壓破碎處理，得到第二基材；
步驟S5，對所述第二基材進行自貼合處理，得到由所述第二基材自貼合成一定層數的半成品；
步驟S6，對所述半成品進行模切處理，得到所述抗飽和隔磁片。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述納米晶軟磁材料的飽和磁感應強度大于1.35T。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述納米晶軟磁材料的厚度的取值范圍為[15μm,30μm]。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述第一磁芯的寬度的取值范圍為[40mm,90mm]。
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述第一磁芯的內徑的取值范圍為[60mm,100mm]；所述第一磁芯的外徑的取值范圍為[90mm,130mm]。
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述第二磁芯在100KHz下的電感大于30μH；所述第二磁芯的矯頑力的取值范圍為[1A/m,3A/m]。
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述雙面膠為無機膠或有機膠。
8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述特制輥軸的表面由均勻分布的1*1mm的正方格凸起所組成，相鄰的所述正方格凸起之間存有等間距的縫隙，任意兩條所述縫隙的交匯處均設置有一大小均勻的凸點。
9.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S5中，所述半成品的所述層數至少為2層。
10.一種抗飽和隔磁片，其特征在于，應用于如權利要求1-11中任意一項所述的制備方法，所述抗飽和隔磁片的制備材料為納米晶軟磁材料，所述抗抗飽和隔磁片包括：
半成品，所述抗飽和隔磁片通過所述半成品經過模切處理得到；
多層第二基材，多層所述第二基材自貼合疊成所述半成品；
所述第二基材通過第一基材經過輥壓破碎處理得到；
所述第一基材通過所述第二磁芯經過與雙面膠貼合處理得到；
所述第二磁芯通過所述第一磁芯經過熱處理得到；
所述第一磁芯通過所述納米晶軟磁材料經過分切處理和卷繞處理得到。
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