[發(fā)明專(zhuān)利]用于光刻設(shè)備內(nèi)的膜和包括這種膜的光刻設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910757335.0
• 申請(qǐng)日: 2015-07-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110501769B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安德雷·亞歷山德羅維奇·尼基佩洛夫;V·Y·班尼恩;約瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普;阿爾揚(yáng)·布格阿德;弗洛里安·迪迪埃·阿爾濱·達(dá)魯因;阿列克謝·謝爾蓋耶維奇·庫(kù)茲涅佐夫;瑪麗亞·皮特;L·斯卡克卡巴拉茲;威廉·瓊·范德贊德;彼得-詹·范茲沃勒;A·M·雅庫(kù)尼恩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02B5/18
• 分類(lèi)號(hào): G02B5/18;G02B5/20;G03F1/24;G03F1/62;G03F7/20
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張啟程

1.一種用于光刻設(shè)備的膜，所述膜具有至少0.1的IR輻射發(fā)射率且對(duì)EUV輻射基本上透射，所述膜包括：

厚度為16nm或更薄的核心層，所述核心層包括對(duì)EUV輻射基本上透射的碳基材料；和

蓋層，用于改進(jìn)IR輻射發(fā)射率，所述蓋層包括吸收IR輻射的材料且具有20nm或更小的層厚度；

其中，所述膜的至少所述核心層和所述蓋層的組合具有至少0.1的IR輻射發(fā)射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其中所述碳基材料是結(jié)晶層、非晶層或石墨碳層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其中所述核心層為包括20對(duì)B或B₄C和石墨烯的多層核心，其中所述層厚度比率是10nm B或B₄C/3nm石墨烯。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其中所述核心層為包括20對(duì)SiNx和石墨烯的多層核心，其中所述層厚度比率是10nm SiNx/2nm石墨烯。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其中所述核心層為厚度為5nm至15nm的B₄C層，且其中用于改進(jìn)IR輻射發(fā)射率的所述蓋層為厚度是1nm至3nm的晶態(tài)或多晶態(tài)Y、Ru或Mo層。

6.一種用于光刻設(shè)備的膜，所述膜具有至少0.1的IR輻射發(fā)射率且對(duì)EUV輻射基本上透射，所述膜包括：

厚度為5nm至15nm的核心層，所述核心層包括硼；和

用于改進(jìn)IR輻射發(fā)射率的蓋層，所述蓋層包括厚度是1nm至3nm的晶態(tài)或多晶態(tài)Y、Ru或Mo層；

其中，所述膜的至少所述核心層和所述蓋層的組合具有至少0.1的IR輻射發(fā)射率。

7.一種用于光刻設(shè)備的膜，所述膜具有至少0.1的IR輻射發(fā)射率且對(duì)EUV輻射基本上透射，所述膜包括：

厚度為15nm或更薄的核心層，所述核心層包括氮化硅；和

用于改進(jìn)IR輻射發(fā)射率的蓋層，所述蓋層包括吸收IR輻射的材料且具有20nm或更小的層厚度；

其中，所述膜的至少所述核心層和所述蓋層的組合具有至少0.1的IR輻射發(fā)射率。

8.一種用于光刻設(shè)備的膜，所述膜具有至少0.1的IR輻射發(fā)射率且對(duì)EUV輻射基本上透射，所述膜包括：

具有50nm或更小的厚度的核心層，所述核心層包括晶態(tài)或多晶態(tài)釔；和

用于改進(jìn)IR輻射發(fā)射率的蓋層，包括吸收IR輻射的材料且具有20nm或更小的層厚度；

其中，所述膜的至少所述核心層和所述蓋層的組合具有至少0.1的IR輻射發(fā)射率。

9.一種用于光刻設(shè)備的膜，所述膜具有至少0.1的IR輻射發(fā)射率且對(duì)EUV輻射基本上透射，所述膜包括：

核心層，厚度為25nm或更小，所述核心層包括多晶態(tài)Zr；和

用于改進(jìn)IR輻射發(fā)射率的蓋層，包括吸收IR輻射的材料且具有20nm或更小的層厚度；

其中，所述膜的至少所述核心層和所述蓋層的組合具有至少0.1的IR輻射發(fā)射率。

10.一種用于光刻設(shè)備的膜，所述膜具有至少0.1的IR輻射發(fā)射率且對(duì)具有13.5nm波長(zhǎng)的EUV輻射基本上透射，所述膜包括：

核心層，厚度為60nm或更小，所述核心層包括對(duì)EUV輻射基本上透明的包括如下所列的材料中的至少一種的材料：ZrB₂、ZrC、MoB₂、MoC、RuB₂、MoSi₂或SiC；和

用于改進(jìn)IR輻射發(fā)射率的蓋層，包括吸收IR輻射的材料且具有20nm或更小的層厚度；

其中，所述膜的至少所述核心層和所述蓋層的組合具有至少0.1的IR輻射發(fā)射率。