[發(fā)明專利]具有對(duì)稱特性的存儲(chǔ)器單元及其構(gòu)成的陣列電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910756772.0
• 申請(qǐng)日: 2019-08-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110600065B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李學(xué)清;吳玨鍵;唐文駿;鐘宏濤;古明陽(yáng);陶云松;劉勇攀;楊華中
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): G11C11/408
• 分類號(hào): G11C11/408;G11C11/4094;G11C11/4097
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 廖元秋

1.一種具有對(duì)稱特性的存儲(chǔ)器單元，其特征在于，該存儲(chǔ)器單元的電路結(jié)構(gòu)包括：第一晶體管，第二晶體管，具有第一端與第二端的存儲(chǔ)器器件，行位線，列位線，行字線和列字線；其中，第一晶體管的柵極與行字線相連，第一晶體管的漏極與行位線相連，第一晶體管的源極與存儲(chǔ)器器件的第一端相連；第二晶體管的柵極與列字線相連，第二晶體管的漏極與行位線相連，第二晶體管的源極與存儲(chǔ)器器件的第一端、第一晶體管的源極均相連；存儲(chǔ)器器件的第二端與列位線相連。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器單元，其特征在于，所述的存儲(chǔ)器器件具有至少兩個(gè)不同的組態(tài)特性，所述存儲(chǔ)器單元通過(guò)存儲(chǔ)器器件的不同組態(tài)特性來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；所述存儲(chǔ)器器件為憶阻器器件、磁性存儲(chǔ)器件或者其他相變存儲(chǔ)器件。

3.一種包括了至少兩個(gè)如權(quán)利要求1或2中所述存儲(chǔ)器單元的陣列電路，其特征在于：該陣列電路的各個(gè)存儲(chǔ)器單元通過(guò)位線或字線相連的方式組成若干行和若干列；其中，同一行存儲(chǔ)器單元的行字線相連接、行位線也相連接，同一列存儲(chǔ)器單元的列字線相連接、列位線也相連接。

4.如權(quán)利要求3所述的陣列電路，其特征在于：在對(duì)某一行中的任意個(gè)存儲(chǔ)器單元所存數(shù)據(jù)進(jìn)行讀操作時(shí)，通過(guò)控制該行對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)器單元的行字線電壓使得相應(yīng)存儲(chǔ)器單元的第一晶體管導(dǎo)通；通過(guò)測(cè)量該行相應(yīng)存儲(chǔ)器單元列位線上的電壓或電流的變化來(lái)識(shí)別該行相應(yīng)存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；

在對(duì)某一列中的任意個(gè)存儲(chǔ)器單元所存數(shù)據(jù)進(jìn)行讀操作時(shí)，通過(guò)控制該列對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)器單元的列字線電壓使得相應(yīng)存儲(chǔ)器單元的第二晶體管導(dǎo)通；通過(guò)測(cè)量該列相應(yīng)存儲(chǔ)器單元行位線上的電壓或電流的變化來(lái)識(shí)別該列相應(yīng)存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；

在對(duì)某一行中的任意個(gè)存儲(chǔ)器單元所存數(shù)據(jù)進(jìn)行寫(xiě)操作時(shí)，通過(guò)控制該行對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)器單元的行字線電壓使得相應(yīng)存儲(chǔ)器單元的第一晶體管導(dǎo)通；通過(guò)控制該行相應(yīng)存儲(chǔ)器單元行位線及列位線的狀態(tài)，使該行中相應(yīng)存儲(chǔ)器單元的阻態(tài)特性與所需存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)一致；

在對(duì)某一列中的任意個(gè)存儲(chǔ)器單元所存數(shù)據(jù)進(jìn)行寫(xiě)操作時(shí)，通過(guò)控制該列對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)器單元的列字線電壓使得相應(yīng)存儲(chǔ)器單元的第二晶體管導(dǎo)通；通過(guò)控制該列相應(yīng)存儲(chǔ)器單元列位線與行位線的狀態(tài)，使該列中相應(yīng)存儲(chǔ)器單元的阻態(tài)特性與所需存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)一致。