[發明專利]晶圓斷鍵強度檢測裝置以及檢測方法

在審

• 申請號: 201910754290.1
• 申請日: 2019-08-15
• 公開（公告）號: CN110459485A
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: 韓斌;夏威;辛君;林宗賢
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01N27/68
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐文欣<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種晶圓斷鍵強度檢測裝置，其特征在于，包括：

工藝單元，用于對待測晶圓表面進行第一表面處理，使所述待測晶圓表面產生第一正離子和第一負離子；

信號轉換單元，用于根據所述第一正離子和第一負離子獲取第一電信號。

2.如權利要求1所述的晶圓斷鍵強度檢測裝置，其特征在于，所述第一電信號包括：第一電流信號或者第一電壓信號。

3.如權利要求1所述的晶圓斷鍵強度檢測裝置，其特征在于，還包括：信號放大單元，用于將所述第一電信號進行放大，獲得第三電信號。

4.權利要求1所述的晶圓斷鍵強度檢測裝置，其特征在于，所述第一表面處理的工藝包括：等離子體處理。

5.如權利要求1所述的晶圓斷鍵強度檢測裝置，其特征在于，所述工藝單元包括：腔室；位于腔室內的載物臺，所述載物臺用于放置待測晶圓；位于腔室內相對設置的陽極和陰極，所述陽極和陰極用于產生垂直于載物臺方向的電場；與腔室電連接的射頻電源，所述射頻電源用于在所述陽極和陰極之間施加偏置電壓。

6.如權利要求1或者5所述的晶圓斷鍵強度檢測裝置，其特征在于，還包括：控制單元，所述控制單元用于實時接收所述第一電信號；當第一電信號小于預設值時，所述控制單元控制工藝單元對所述待測晶圓表面進行第二表面處理，使所述待測晶圓表面產生第二正離子和第二負離子；所述信號轉換單元根據所述第二正離子和第二負離子獲取第二電信號，且所述第二電信號達到預設值。

7.一種晶圓斷鍵強度檢測方法，其特征在于，包括：

提供待測晶圓；

對所述待測晶圓表面進行第一表面處理，使所述待測晶圓表面產生第一正離子和第一負離子；

根據所述第一正離子和第一負離子獲取第一電信號。

8.如權利要求7所述的晶圓斷鍵強度檢測方法，其特征在于，還包括：將所述第一電流信號進行放大，獲得第三電信號。

9.如權利要求7所述的晶圓斷鍵強度檢測方法，其特征在于，所述第一電信號包括：第一電流信號或者第一電壓信號。

10.如權利要求7所述的晶圓斷鍵強度檢測方法，其特征在于，所述第一表面處理的工藝包括：等離子體處理。

11.如權利要求7所述的晶圓斷鍵強度檢測方法，其特征在于，所述待測晶圓包括襯底和位于襯底表面的介質層；所述介質層的材料包括：氧化硅；所述第一表面處理使氧化硅中的Si-O鍵斷裂。

12.如權利要求7或11所述的晶圓斷鍵強度檢測方法，其特征在于，還包括：實時接收所述第一電信號；當第一電信號小于預設值時，對所述待測晶圓表面進行第二表面處理，使所述待測晶圓表面產生第二正離子和第二負離子；根據所述第二正離子和第二負離子獲取第二電信號，且所述第二電信號達到預設值。