[發明專利]光刻工藝的對準方法有效
| 申請號： | 201910751453.0 | 申請日： | 2019-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN112394623B | 公開（公告）日： | 2022-03-01 |
| 發明（設計）人： | 何偉明 | 申請（專利權）人： | 浙江馳拓科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F9/00 | 分類號： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司 11667 | 代理人： | 趙永剛 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 工藝 對準 方法 | ||
1.一種光刻工藝的對準方法，其特征在于，包括：
提供第一功能圖形、對位標記以及用于填充第一功能圖形和對位標記之間間隙的填充介質，所述第一功能圖形、對位標記和填充介質的上表面均在第一平面內；
利用對位標記和填充介質的刻蝕選擇比進行自對準刻蝕，在所述填充介質上形成凹槽，所述凹槽用于暴露所述對位標記的側壁；
在所述第一平面上形成第二功能層，所述第二功能層在所述凹槽上形成隨形拓撲結構；
依據所述隨形拓撲結構偵測所述對位標記，完成對所述第二功能層的光刻和刻蝕。
2.如權利要求1所述光刻工藝的對準方法，其特征在于：所述凹槽的形成包括：在第一平面上形成光刻膠；
對所述光刻膠進行曝光顯影，以形成標記區域；所述標記區域完全覆蓋所述對位標記；
將所述標記區域除對位標記外的部分刻蝕，以在所述填充介質上形成圍繞所述標記區域的凹槽。
3.如權利要求1所述光刻工藝的對準方法，其特征在于：所述凹槽的深度大于所述第二功能層的厚度。
4.如權利要求1所述光刻工藝的對準方法，其特征在于：形成第二功能層的材料為不透明材料。
5.如權利要求1所述光刻工藝的對準方法，其特征在于：所述對位標記包括光刻機對準標記和套刻標記。
6.如權利要求1所述光刻工藝的對準方法，其特征在于：所述第二功能層光刻過程中，利用所述第二功能層對應所述凹槽處的隨形拓撲結構的反射光源偵測對位標記。
7.如權利要求1所述光刻工藝的對準方法，其特征在于：所述第一功能圖形和對位標記通過刻蝕或剝離工藝形成在襯底上。
8.如權利要求1所述光刻工藝的對準方法，其特征在于：所述凹槽的邊緣與所述對位標記的邊緣之間的距離不小于0.5微米。
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