[發明專利]一種麻醉深度監測儀外接海量數據存儲卡接口電路

在審

• 申請號: 201910749775.1
• 申請日: 2019-08-14
• 公開（公告）號: CN110765051A
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 王梓豪
• 申請（專利權）人: 深圳市格陽醫療科技有限公司
• 主分類號: G06F13/40
• 分類號: G06F13/40;H03K19/0175;G06F11/32
• 代理公司: 12235 天津睿禾唯晟專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 李春榮

1.一種麻醉深度監測儀外接海量數據存儲卡接口電路，用于與所述麻醉深度監測儀中央處理器(1)連接，所述中央處理器(1)為ARM四核Cortex-A9處理器，所述中央處理器(1)包括供電輸出端口(101)、接地端口(102)、數據傳輸D+端口(103)、數據傳輸D-端口(104)，其特征在于：包括第一繼電器J1、第二繼電器J2、USB接口(2)、PMOS晶體管Q1、充電電路模塊(3)、第一穩壓單元(4)、第二穩壓單元(5)、第二電阻R2、第五電容C5、第九電容C9、第一二級管D1、第二二極管D2，所述供電輸出端口(101)、接地端口(102)分別與所述第一繼電器J1的兩個端子連接，所述數據傳輸D+端口(103)、數據傳輸D-端口(104)均與所述USB接頭(2)連接，所述第一繼電器J1與所述接地端口(102)連接端的端子接地，所述第一繼電器J1與所述供電輸出端口(101)連接端的端子與所述PMOS晶體管Q1的柵極G連接，所述POMS晶體管Q1的柵極G通過第二電阻R2接地，所述PMOS晶體管Q1的源極S與所述USB接口(2)連接，所述PMOS晶體管Q1的漏極D通過所述第五電容C5接地，所述第一繼電器J1與所述供電輸出端口(101)連接端的端子與所述第一二極管D1的正極連接，所述第一二極管D1的負極通過所述第五電容C5接地，所述第九電容C9并聯接入所述第五電容C5的兩端，所述第五電容與所述第一二極管正極的連接端與所述充電電路模塊(3)連接，所述充電電路模塊(3)分別與所述第一穩壓單元(4)、第二穩壓單元(5)連接，所述第二穩壓單元(5)通過所述第二二極管D2與所述第一穩壓單元(4)連接，所述第二繼電器J2其中一端與所述第一穩壓單元(4)連接，所述第二繼電器J2另一端接地。

2.根據權利要求1所述的一種麻醉深度監測儀外接海量數據存儲卡接口電路，其特征在于：所述USB接頭包括VBUS引腳、D-引腳、D+引腳、GND引腳、SHELL引腳，所述VBUS引腳與所述PMOS晶體管Q的源極S連接，所述D+引腳與所述數據傳輸D+端口(103)連接，所述D-引腳與所述數據傳輸D-端口(104)連接，所述GND引腳接地，所述SHELL引腳為空腳。

3.根據權利要求1所述的一種麻醉深度監測儀外接海量數據存儲卡接口電路，其特征在于：所述充電電路模塊(3)包括CN3052芯片、第一電阻R1、第四電阻R4、第七電容C7、第十電容C10、第一發光二極管LED1、第二發光二極管LED2、電池BT，所述CN3052芯片包括TEMP引腳1、ISET引腳2、GND引腳3、VIN引腳4、BAT引腳5、FAULT引腳6、CHRG引腳7、CE引腳8，所述第一電阻R1的一端與所述第一二極管D1的負極連接，所述第一電阻R1的另一端分別與所述第一發光二極管LED1、第二發光二極管LED2的正極連接，所述第一發光二極管LED1的負極與所述FAULT引腳6連接，所述第二發光二極管LED2的負極與所述CHRG引腳7連接，所述GND引腳3接地，所述CE引腳與所述VIN引腳連接且均與所述PMOS晶體管Q1的漏極D和所述第一穩壓單元(4)連接，所述第七電容C7、第十電容C10均并聯連接在所述BAT引腳5、TEMP引腳1之間，所述電池BT的正極分別與所述BAT引腳5和所述第二穩壓單元(5)連接，所述電池BT的負極與所述TEMP引腳1連接，所述ISET引腳2通過所述第四電阻R4接地。

4.根據權利要求3所述的一種麻醉深度監測儀外接海量數據存儲卡接口電路，其特征在于：所述電池BT為可充電電池。