[發(fā)明專利]微影的方法、集成電路的制造方法及清洗溶液

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910748727.0
• 申請日: 2019-08-14
• 公開（公告）號: CN110824858B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王建惟;賴韋翰;張慶裕
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/30;G03F7/42;H05K3/06
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種微影的方法，包括：

在一工作件上形成一光刻膠層；

將該光刻膠層對輻射進行曝光；

使用一顯影劑對曝光的該光刻膠層進行顯影，以移除曝光的該光刻膠層的一未曝光部分，借此形成一圖案化的光刻膠層；以及

使用一清洗溶液以清洗該圖案化的光刻膠層，其中使用該清洗溶液以清洗該圖案化的光刻膠層期間，該顯影劑的一部分設(shè)置于該圖案化的光刻膠層的一表面上；且

其中該顯影劑為一有機溶液，且其中該清洗溶液包含約5％至約30％之間的水，使得該清洗溶液通過該顯影劑的該部分并到達該圖案化的光刻膠層的該表面，進而在清洗該圖案化的光刻膠層期間將該圖案化的光刻膠層硬化。

2.如權(quán)利要求1所述的微影的方法，其中在清洗該圖案化的光刻膠層的期間，水滲入該圖案化的光刻膠層使得水分子與該圖案化的光刻膠層的極性官能基之間形成氫鍵。

3.如權(quán)利要求1所述的微影的方法，其中該清洗溶液還包含一偶極溶劑，該偶極溶劑占該清洗溶液的比值在約5％至約70％之間。

4.如權(quán)利要求1所述的微影的方法，其中該清洗溶液包含一溶劑，該溶劑具有低于約35達因/公分的表面張力。

5.如權(quán)利要求4所述的微影的方法，其中具有低于約35達因/公分的表面張力的該溶劑占該清洗溶液的比值在約10％至約70％之間。

6.如權(quán)利要求4所述的微影的方法，其中該清洗溶液具有高于約35達因/公分的整體表面張力。

7.如權(quán)利要求1所述的微影的方法，其中該清洗溶液包含一交聯(lián)劑。

8.如權(quán)利要求7所述的微影的方法，其中該交聯(lián)劑占該清洗溶液的比值在約0.01％至約15％之間。

9.如權(quán)利要求1所述的微影的方法，其中該顯影劑的該有機溶液包含乙酸正丁酯但不包含水，其中該清洗溶液包含在約10％到約20％之間的偶極溶劑，以及在約0.01％到約15％之間的交聯(lián)劑。

10.一種集成電路的制造方法，包括：

在一工作件上形成一光刻膠層；

將該光刻膠層對圖案化的輻射進行曝光；

在一負型顯影劑中移除該光刻膠層的一未曝光部分，借此形成一圖案化的光刻膠層，其中該負型顯影劑包含一有機溶劑；以及

在一清洗溶液中對該圖案化的光刻膠層進行清洗，其中該圖案化的光刻膠層進行清洗期間，該負型顯影劑的一層設(shè)置于該圖案化的光刻膠層的一表面上，其中該清洗溶液包含約5％至約30％之間的水，使得該清洗溶液通過該負型顯影劑的該層并到達該圖案化的光刻膠層的該表面，進而在清洗該圖案化的光刻膠層期間將該圖案化的光刻膠層硬化，其中該清洗溶液的一整體表面張力高于該有機溶劑的一表面張力。

11.如權(quán)利要求10所述的集成電路的制造方法，其中該清洗溶液的該整體表面張力對空氣至少為約35達因/公分，且其中該有機溶劑的該表面張力對空氣小于約35達因/公分。

12.如權(quán)利要求10所述的集成電路的制造方法，其中該清洗溶液具有一整體極性高于該圖案化的光刻膠層的極性和該有機溶劑的極性。

13.如權(quán)利要求10所述的集成電路的制造方法，其中該清洗溶液還包含約5％至約70％的極性溶劑。

14.如權(quán)利要求13所述的集成電路的制造方法，其中該清洗溶液還包含約0.01％至約15％之間的交聯(lián)劑。

15.如權(quán)利要求14所述的集成電路的制造方法，其中該清洗溶液還包含一溶劑，該溶劑具有低于約35達因/公分的表面張力。