[發明專利]一種三工位碳化硅籽晶粘接爐

在審

• 申請號: 201910747240.0
• 申請日: 2019-08-14
• 公開（公告）號: CN110396718A
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發明（設計）人: 李留臣;周潔;周正星;王建康
• 申請（專利權）人: 江蘇星特亮科技有限公司
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/36
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 劉鑫

本發明公開了一種三工位碳化硅籽晶粘接爐，包括具有中空腔體的主體、設于中空腔體中的托盤、三個設于托盤上表面的用于承載工件的下加熱盤、可上下活動的設于中空腔體中的且位于托盤上方的壓盤、三個與下加熱盤一一對應的設于壓盤下表面的上加熱盤、連接在主體上的抽真空機構、用于驅動壓盤上下運動的驅動機構；壓盤的頂端與驅動機構的輸出端之間球面活動連接，壓盤用于將壓力均勻的傳遞至每個上加熱盤上；上加熱盤的上端與壓盤之間球面活動連接，上加熱盤用于均勻壓緊工件的上表面。本發明一種三工位碳化硅籽晶粘接爐，一次對三個坩堝蓋進行籽晶粘接，粘接效率較高，同時還能夠保證三個坩堝蓋受力均勻，每個坩堝蓋上的籽晶表面受力均勻。

技術領域

本發明涉及一種三工位碳化硅籽晶粘接爐。

背景技術

物理氣相輸運法（PVT法）是碳化硅單晶生長的主要技術方法，該方法是將碳化硅多晶原料裝在筒形石墨坩堝本體底部，用石墨坩堝蓋將石墨坩堝本體蓋上，形成一個密閉空間，石墨坩堝蓋下表面安裝有碳化硅籽晶，通過對石墨坩堝本體、石墨坩堝蓋組成的系統進行加熱，使石墨坩堝本體內的碳化硅多晶原料升華，并維持碳化硅多晶原料與碳化硅籽晶間具有合適的溫度梯度，升華后的碳化硅粒子就會在碳化硅籽晶上沉積生長，從而獲得碳化硅單晶。

將籽晶粘接在坩堝蓋的下表面進行生長，現有的裝置一般一次只能粘接一個，粘接效率較低。

發明內容

本發明的目的是提供一種三工位碳化硅籽晶粘接爐，能夠一次對三個坩堝蓋進行籽晶粘接，粘接效率較高，同時還能夠保證三個坩堝蓋受力均勻，每個坩堝蓋上的籽晶表面受力均勻。

為達到上述目的，本發明采用的技術方案是：

一種三工位籽晶粘接爐，包括具有中空腔體的主體、設于所述中空腔體中的托盤、三個設于所述托盤上表面的用于承載工件的下加熱盤、可上下活動的設于所述中空腔體中的且位于所述托盤上方的壓盤、三個與所述下加熱盤一一對應的設于所述壓盤下表面的上加熱盤、連接在所述主體上的用于為所述中空腔體抽真空的抽真空機構、連接在所述壓盤上的用于驅動所述壓盤上下運動的驅動機構；

所述壓盤的頂端與所述驅動機構的輸出端之間球面活動連接，所述壓盤，用于將壓力均勻的傳遞至每個所述上加熱盤上；

所述上加熱盤的上端與所述壓盤之間球面活動連接，所述上加熱盤，用于均勻壓緊所述工件的上表面。

優選地，所述驅動機構包括輸出軸、開設于所述輸出軸底端的球形槽，所述壓盤包括第一本體、設于所述第一本體頂端的用于配合的卡入所述球形槽中的球形鉸接頭。

優選地，所述上加熱盤包括從上往下依次連接的第一軸、第二軸和用于抵壓所述工件的第二本體，所述第一軸間隙配合的穿設于所述壓盤中，所述第二軸的直徑大于所述第一軸的直徑，所述第二軸位于所述壓盤的下方，所述上加熱盤還包括間隙配合的套設于所述第一軸上的且連接在所述壓盤下表面的凸球面墊圈、間隙配合的套設于所述第一軸上的且連接在所述第二軸頂端的凹球面墊圈，所述凸球面墊圈配合的抵設于所述凹球面墊圈中。

更優選地，所述第一軸向上穿出所述壓盤，所述上加熱盤還包括間隙配合的套設于所述第一軸上端的且設于所述壓盤上表面的螺母。

優選地，所述粘接爐包括連接架、設于所述連接架上的稱重傳感器、下端設于所述稱重傳感器上的且上端穿入所述中空腔體中的用于支撐所述托盤的支撐柱。

更優選地，所述驅動機構包括設于所述連接架上的驅動缸、可沿自身長度延伸方向活動的穿設于所述驅動缸中的輸出軸，所述輸出軸的下端穿入所述中空腔體中。

優選地，所述托盤、所述下加熱盤、處于自由狀態的所述壓盤、處于自由狀態的所述上加熱盤的軸心線方向均沿豎直方向延伸。