[發明專利]光學鄰近修正方法在審
| 申請號: | 201910746475.8 | 申請日: | 2019-08-13 |
| 公開(公告)號: | CN110426915A | 公開(公告)日: | 2019-11-08 |
| 發明(設計)人: | 黃增智;夏睿;黃雙龍;倪凌云 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
| 地址: | 223302 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光刻圖形 修正 光學鄰近修正 邊緣放置誤差 模擬光 子目標 圖形形成 預設距離 預設 | ||
1.一種光學鄰近修正方法,其特征在于,包括:
提供目標光刻圖形,所述目標光刻圖形包括相鄰的第一子目標光刻圖形和第二子目標光刻圖形;
對所述目標光刻圖形進行第一光學鄰近修正,得到與所述目標光刻圖形對應的第一修正圖形,以及與所述第一修正圖形對應的第一模擬光刻圖形,所述第一修正圖形包括與所述第一子目標光刻圖形對應的第一子修正圖形及與所述第二子目標光刻圖形對應的第二子修正圖形,所述第一子修正圖形和所述第二子修正圖形間具有修正最小間距,所述第一模擬光刻圖形包括與所述第一子修正圖形對應的第一子模擬光刻圖形以及與所述第二子修正圖形對應的第二子模擬光刻圖形,所述第一子模擬光刻圖形具有第一邊緣放置誤差,所述第二子模擬光刻圖形具有第二邊緣放置誤差;
當所述修正最小間距等于最小預設距離,且所述第一邊緣放置誤差和第二邊緣放置誤差中的一者或兩者大于或等于預設邊緣放置誤差時,對所述第一修正圖形進行第二修正。
2.根據權利要求1所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,還包括:所述第一子修正圖形具有第一端點,所述第二子修正圖形具有第二端點,所述第一端點與所述第二端點相鄰,且所述第一端點與所述第二端點間的間距為所述修正最小間距。
3.根據權利要求2所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,所述第一子修正圖形還具有第一邊緣線段和第二邊緣線段,所述第一邊緣線段與所述第二邊緣線段相交于所述第一端點;所述第二修正包括:當所述第一邊緣放置誤差大于或等于所述預設邊緣放置誤差時,在所述第一邊緣線段和所述第二邊緣線段中的一者或兩者上設置第一切分點,當在所述第一邊緣線段上設置所述第一切分點時,所述第一切分點將所述第一邊緣線段切分為第一子線段和第二子線段,且所述第一子線段與所述第二邊緣線段相交,當在所述第二邊緣線段上設置所述第一切分點時,所述第一切分點將所述第二邊緣線段切分為第三子線段和第四子線段,且所述第三子線段與所述第一邊緣線段相交;在設置所述第一切分點后,對所述第一修正圖形進行第二光學鄰近修正。
4.根據權利要求2所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,所述第二子修正圖形還具有第三邊緣線段和第四邊緣線段,所述第三邊緣線段與所述第四邊緣線段相交于所述第二端點;所述第二修正包括:當所述第二邊緣放置誤差大于或等于所述預設邊緣放置誤差時,在所述第三邊緣線段和所述第四邊緣線段中的一者或兩者上設置第二切分點,當在所述第三邊緣線段上設置所述第二切分點時,所述第二切分點將所述第三邊緣線段切分為第五子線段和第六子線段,且所述第五子線段與所述第四邊緣線段相交,當在所述第四邊緣線段上設置所述第二切分點時,所述第二切分點將所述第四邊緣線段切分為第七子線段和第八子線段,且所述第七子線段與所述第三邊緣線段相交;在設置所述第二切分點后,對所述第一修正圖形進行第二光學鄰近修正。
5.根據權利要求3所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,所述第一子線段的長度大于或等于預設線段長度,所述第二子線段的長度大于或等于預設線段長度,所述第三子線段的長度大于或等于預設線段長度,所述第四子線段的長度大于或等于預設線段長度。
6.根據權利要求4所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,所述第五子線段的長度大于或等于預設線段長度,所述第六子線段的長度大于或等于預設線段長度,所述第七子線段的長度大于或等于預設線段長度,所述第八子線段的長度大于或等于預設線段長度。
7.根據權利要求5或6所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,所述第二光學鄰近修正的參數包括:最小切割邊長,所述最小切割邊長等于所述預設線段長度。
8.根據權利要求3或4所述的光學鄰近修正方法,其特征在于,所述第二修正還包括:從所述第一修正圖形中提取第二待修正區域,所述第二待修正區域是以所述第一端點或所述第二端點為中心的預設區域內的部分第一修正圖形;在提取所述第二待修正區域后,對所述第二待修正區域內的所述第一修正圖形進行所述第二光學鄰近修正。
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G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





