[發(fā)明專利]磁存儲器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910745412.0 | 申請日： | 2019-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN110620175A | 公開（公告）日： | 2019-12-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃嘉曄;俞文杰;劉強 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22 |
| 代理公司： | 32331 蘇州國卓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 明志會 |
| 地址： | 201800 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 自由層 非磁性層 磁存儲器件 通道隔離 固定層 自由層磁化方向 磁存儲器 臨界電流 減小 | ||
1.一種磁存儲器件，包括
固定層、通道隔離層、自由層；
所述通道隔離層位于所述固定層和所述自由層之間；
其特征在于，
還包括非磁性層，所述非磁性層位于所述自由層上，所述非磁性層與所述自由層材料不相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，所述非磁性層材料為鎂、鈦、鉻、銅氧/氮化物中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，所述自由層具有相對的第一面和第二面，所述第二面較所述第一面遠(yuǎn)離所述通道隔離層，在所述第一面與所述通道隔離層中間有非磁性薄膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，所述固定層和所述自由層為CoFe、NiFe、CoFeB、CoFeCr、CoFePt、CoFePd、CoFeTb、CoFeGd或CoFeNi中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，還包括第一電極和第二電極；所述第一電極位于所述固定層下方，所述第二電極位于所述自由層上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，還包括半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件與所述固定層電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，還包括襯底，所述襯底位于所述固定層下方。
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