[發明專利]超導材料的臨界電流測量方法、系統及介質有效
| 申請號： | 201910745143.8 | 申請日： | 2019-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN110426661B | 公開（公告）日： | 2020-12-22 |
| 發明（設計）人： | 李小汾;陳怡文 | 申請（專利權）人： | 上海交通大學 |
| 主分類號： | G01R33/12 | 分類號： | G01R33/12 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 莊文莉 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 超導 材料 臨界 電流 測量方法 系統 介質 | ||
1.一種超導材料的臨界電流測量方法，其特征在于，包括：
時變電流加載步驟：在樣品中通以時變電流；
磁場測量步驟：將傳感器設置在預設位置，通過傳感器測量樣品周圍的磁場分布或感性電壓的分布，獲得測量信息；
臨界電流判斷步驟：根據獲得的測量信息，判斷樣品是否達到臨界電流狀態，并獲得樣品的臨界電流；
所述時變電流的峰值大于樣品的臨界電流；
所述臨界電流判斷步驟：
根據獲得的測量信息，獲得電壓波形圖或磁場強度波形圖；
根據電壓波形圖或磁場強度波形圖的臨界特征，根據臨界特征對應的時刻，獲得時變電流對應時刻的電流，記為臨界電流；
所述樣品包括：非理想第二類超導體；
所述傳感器包括以下任一種或任多種：
感應線圈、霍爾傳感器、巨磁阻效應傳感器、SQUID傳感器、磁通門磁強計；
所述臨界特征包括以下任一種或任多種：
電壓波形圖或磁場強度波形圖的波峰、電壓波形圖或磁場強度波形圖的波谷。
2.一種非理想第二類超導體的臨界電流的測量系統，其特征在于，包括：
時變電流加載模塊：在樣品中通以時變電流；
磁場測量模塊：將傳感器設置在預設位置，通過傳感器測量樣品周圍的磁場分布或感性電壓的分布，獲得測量信息；
臨界電流判斷模塊：根據獲得的測量信息，判斷樣品是否達到臨界電流狀態，并獲得樣品的臨界電流；
所述時變電流的峰值大于樣品的臨界電流；
所述臨界電流判斷模塊：
根據獲得的測量信息，獲得電壓波形圖或磁場強度波形圖；
根據電壓波形圖或磁場強度波形圖的臨界特征，根據臨界特征對應的時刻，獲得時變電流對應時刻的電流，記為臨界電流；
所述樣品包括：非理想第二類超導體；
所述傳感器包括以下任一種或任多種：
感應線圈、霍爾傳感器、巨磁阻效應傳感器、SQUID傳感器、磁通門磁強計；
所述臨界特征包括以下任一種或任多種：
電壓波形圖或磁場強度波形圖的波峰、電壓波形圖或磁場強度波形圖的波谷。
3.一種存儲有計算機程序的計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1中所述的超導材料的臨界電流測量方法的步驟。
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