[發明專利]膜沉積系統以及在膜沉積系統中控制粒子的方法

在審

• 申請號: 201910745121.1
• 申請日: 2019-08-13
• 公開（公告）號: CN110819954A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 郭宗翰;汪柏澍;王偉民
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/46;H01J37/32
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷;鄭特強

1.一種膜沉積系統，包括：

一工藝腔室，能密封以產生一加壓環境，并配置以在該加壓環境中包含一等離子體、一靶材以及一基板；以及

一粒子控制單元，其中該粒子控制單元被配置以提供一外力到該等離子體中的至少一個帶電原子以及至少一個污染粒子的每一者，其中該至少一個帶電原子以及該至少一個污染粒子是通過該靶材與該等離子體直接接觸而產生，

其中該外力被配置以將該至少一個帶電原子引導朝向該基板的一頂表面，并將該至少一個污染粒子引導遠離該基板的該頂表面。

2.如權利要求1所述的膜沉積系統，其中該粒子控制單元包括至少一對電磁線圈或至少一對感應電極。

3.如權利要求2所述的膜沉積系統，其中該至少一對電磁線圈以及該至少一對感應電極的每一者包括鐵與錳的至少一者。

4.如權利要求2所述的膜沉積系統，其中該至少一對感應電極配置為在該粒子控制單元中的一第一感應電極以及一第二感應電極之間提供一電場。

5.一種在膜沉積系統中控制粒子的方法，包括：

提供一等離子體，以直接接觸一工藝腔室中的至少一個靶材，從而產生至少一個帶電原子以及至少一個污染粒子；

在該等離子體中的該至少一個帶電原子以及該至少一個污染粒子的每一者上產生一外力，以將該至少一個帶電原子導引朝向一基板；以及

將該至少一個帶電原子導引至該基板的一表面上的一第一位置，其中是通過偏離該工藝腔室的一中心的一基板座以配置該第一位置。

6.如權利要求5所述的在膜沉積系統中控制粒子的方法，其中該外力是由至少一對電磁線圈或至少一對感應電極提供。

7.如權利要求6所述的在膜沉積系統中控制粒子的方法，其中該至少一對電磁線圈配置為在一第一電磁線圈以及一第二電磁線圈之間提供一磁場。

8.一種膜沉積系統，包括：

一工藝腔室，能密封以產生一加壓環境，并配置以在該加壓環境中包含一等離子體、一靶材以及一基板；以及

一粒子控制單元，其中該粒子控制單元被配置以提供一外力到該等離子體中的至少一個帶電原子以及至少一個污染粒子的每一者，其中該至少一個帶電原子以及該至少一個污染粒子是通過該靶材與該等離子體直接接觸而產生，

其中該外力被配置以將該至少一個帶電原子引導朝向該基板的一頂表面，并將該至少一個污染粒子引導遠離該基板的該頂表面，其中該基板是通過偏離該工藝腔室的一中心的一基板座支撐，且該粒子控制單元包括至少一對電磁線圈或至少一對感應電極。

9.如權利要求8所述的膜沉積系統，其中該至少一對電磁線圈以及該至少一對感應電極的每一者配置為靠近于該靶材并相對于該工藝腔室的該中心具有二重旋轉對稱。

10.如權利要求8所述的膜沉積系統，其中該至少一對電磁線圈以及該至少一對感應電極的每一者具有方形或圓形的形狀。