[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910744276.3
• 申請(qǐng)日: 2019-08-13
• 公開（公告）號(hào): CN112397442A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張?zhí)锾?/a>;荊學(xué)珍;童哲源;肖張茹;于海龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有層間介質(zhì)層；

刻蝕所述層間介質(zhì)層形成接觸孔，所述接觸孔暴露出所述基底的表面；

在所述接觸孔內(nèi)的所述基底上形成阻擋層；

在所述阻擋層上形成金屬層，且所述金屬層填充滿所述接觸孔。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為鈷或鉭。

3.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述阻擋層的方法為選擇性生長(zhǎng)法或化學(xué)氣相沉積法或原子層沉積法。

4.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述接觸孔的方法為干法刻蝕或濕法刻蝕。

5.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述金屬層的材料為鎢。

6.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述金屬層的方法包括化學(xué)氣相沉積法、選擇性生長(zhǎng)法或原子層氣相沉積法中的一種或多種。

7.如權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，形成所述金屬層的步驟包括：采用選擇性生長(zhǎng)法在所述接觸孔內(nèi)形成第一金屬層；

采用化學(xué)氣相沉積法在所述第一金屬層以及所述層間介質(zhì)層上形成第二金屬層；

平坦化所述第一金屬層和所述第二金屬層，直至暴露出所述層間介質(zhì)層的表面。

8.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述阻擋層之前，還包括：在所述接觸孔的底部、側(cè)壁以及所述層間介質(zhì)層的表面上形成反應(yīng)金屬層；

在所述反應(yīng)金屬層的表面上形成擴(kuò)散阻擋層。

9.如權(quán)利要求8所述的形成方法，其特征在于，形成所述阻擋層之前，還包括：去除所述擴(kuò)散阻擋層以及未參加反應(yīng)的所述反應(yīng)金屬層。

10.一種如權(quán)利要求1-9任一所述的形成方法形成的半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

基底；

層間介質(zhì)層，位于所述基底上；

接觸孔，位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)，暴露出所述基底的表面；

阻擋層，位于所述接觸孔內(nèi)的所述基底上；

金屬層，位于所述接觸孔內(nèi)的所述阻擋層上，且填充滿所述接觸孔。