[發(fā)明專(zhuān)利]光刻膠及光刻方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910743009.4
• 申請(qǐng)日: 2019-08-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110501873B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁華;黃永發(fā);楊尚勇;胡展源
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F7/004
• 分類(lèi)號(hào): G03F7/004;H01L21/027
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種光刻膠，其特征在于，所述光刻膠應(yīng)用于制備半導(dǎo)體器件的光刻工藝中，所述光刻膠包括：

化學(xué)放大膠，所述化學(xué)放大膠包括聚合樹(shù)脂和光致產(chǎn)酸劑；

堿性添加劑，在被光照后，所述堿性添加劑的酸堿度由堿性轉(zhuǎn)變至酸性，所述堿性添加劑包括磺酸胺酯類(lèi)光致消堿劑，所述磺酸胺酯類(lèi)光致消堿劑的化學(xué)通式為NR₂-X-NR-O-SO₂-C_nF_2n+1，R表示飽和烷烴基團(tuán)或者氫，X表示大共軛吸光基團(tuán)，n為正整數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠，其特征在于，當(dāng)R為飽和烷烴基團(tuán)時(shí)包括1至4個(gè)碳原子。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠，其特征在于，1≤n≤8。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的光刻膠，其特征在于，所述堿性添加劑與所述聚合樹(shù)脂的質(zhì)量比值為0.01％-5％。

5.一種光刻方法，其特征在于，所述方法包括：

在目標(biāo)物上涂布光刻膠，所述光刻膠包括化學(xué)放大膠和堿性添加劑，所述化學(xué)放大膠包括聚合樹(shù)脂和光致產(chǎn)酸劑，所述堿性添加劑在被光照后，所述堿性添加劑的酸堿度由堿性轉(zhuǎn)變至酸性，所述堿性添加劑包括磺酸胺酯類(lèi)光致消堿劑，所述磺酸胺酯類(lèi)光致消堿劑的化學(xué)通式為NR₂-X-NR-O-SO₂-C_nF_2n+1，R表示飽和烷烴基團(tuán)或者氫，X表示大共軛吸光基團(tuán)，n為正整數(shù)；

通過(guò)掩模板將所述光刻膠分為曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域，對(duì)所述曝光區(qū)域進(jìn)行曝光，所述曝光區(qū)域中的堿性添加劑由堿性轉(zhuǎn)變?yōu)樗嵝裕龇瞧毓鈪^(qū)域中的堿性添加劑通過(guò)保留的堿性淬滅所述曝光區(qū)域中的擴(kuò)散過(guò)來(lái)的酸；

對(duì)所述光刻膠進(jìn)行顯影處理，清除所述曝光區(qū)域的光刻膠。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光刻方法，其特征在于，當(dāng)R為飽和烷烴基團(tuán)時(shí)包括1至4個(gè)碳原子。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光刻方法，其特征在于，1≤n≤8。

8.根據(jù)權(quán)利要求5至7任一所述的光刻方法，其特征在于，所述堿性添加劑與所述聚合樹(shù)脂的質(zhì)量比值為0.01％-5％。