[發明專利]光刻膠及光刻方法

有效

• 申請號: 201910743009.4
• 申請日: 2019-08-13
• 公開（公告）號: CN110501873B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 袁華;黃永發;楊尚勇;胡展源
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;H01L21/027
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種光刻膠，其特征在于，所述光刻膠應用于制備半導體器件的光刻工藝中，所述光刻膠包括：

化學放大膠，所述化學放大膠包括聚合樹脂和光致產酸劑；

堿性添加劑，在被光照后，所述堿性添加劑的酸堿度由堿性轉變至酸性，所述堿性添加劑包括磺酸胺酯類光致消堿劑，所述磺酸胺酯類光致消堿劑的化學通式為NR₂-X-NR-O-SO₂-C_nF_2n+1，R表示飽和烷烴基團或者氫，X表示大共軛吸光基團，n為正整數。

2.根據權利要求1所述的光刻膠，其特征在于，當R為飽和烷烴基團時包括1至4個碳原子。

3.根據權利要求1所述的光刻膠，其特征在于，1≤n≤8。

4.根據權利要求1至3任一所述的光刻膠，其特征在于，所述堿性添加劑與所述聚合樹脂的質量比值為0.01％-5％。

5.一種光刻方法，其特征在于，所述方法包括：

在目標物上涂布光刻膠，所述光刻膠包括化學放大膠和堿性添加劑，所述化學放大膠包括聚合樹脂和光致產酸劑，所述堿性添加劑在被光照后，所述堿性添加劑的酸堿度由堿性轉變至酸性，所述堿性添加劑包括磺酸胺酯類光致消堿劑，所述磺酸胺酯類光致消堿劑的化學通式為NR₂-X-NR-O-SO₂-C_nF_2n+1，R表示飽和烷烴基團或者氫，X表示大共軛吸光基團，n為正整數；

通過掩模板將所述光刻膠分為曝光區域和非曝光區域，對所述曝光區域進行曝光，所述曝光區域中的堿性添加劑由堿性轉變為酸性，所述非曝光區域中的堿性添加劑通過保留的堿性淬滅所述曝光區域中的擴散過來的酸；

對所述光刻膠進行顯影處理，清除所述曝光區域的光刻膠。

6.根據權利要求5所述的光刻方法，其特征在于，當R為飽和烷烴基團時包括1至4個碳原子。

7.根據權利要求5所述的光刻方法，其特征在于，1≤n≤8。

8.根據權利要求5至7任一所述的光刻方法，其特征在于，所述堿性添加劑與所述聚合樹脂的質量比值為0.01％-5％。