[發明專利]存儲器器件及其操作方法

在審

• 申請號: 201910742165.9
• 申請日: 2019-08-12
• 公開（公告）號: CN110858500A
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發明（設計）人: 河震龍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李敬文

公開了存儲器器件及其操作方法。監測對存儲器單元陣列或其一部分執行的連續寫入操作的數量。當連續寫入操作的數量達到預定數量時，可以執行對應的檢查讀取操作。如果檢查讀取操作指示存儲器的某些部分已經受寫入干擾，則可以刷新這些部分中的數據以對對應存儲器單元的電阻狀態進行調整，從而提高數據可靠性。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年8月22日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2018-0098075以及2019年5月17日在美國專利商標局提交的美國專利申請No.16/415,244的優先權，其公開內容通過引用整體并入本文中。

技術領域

本發明構思涉及半導體器件，更具體地，涉及檢查編程數據的干擾的半導體存儲器器件(例如，相變存儲器器件)、以及訪問相變存儲器器件的方法。

背景技術

半導體存儲器包括非易失性存儲器，例如相變存儲器、鐵電存儲器、磁存儲器、電阻存儲器和閃存(例如，NAND閃存)。一些非易失性存儲器(如相變存儲器)被配置為通過加熱工藝改變其存儲器單元的電阻值。當相變存儲器對其相變存儲器單元執行置位操作或復位操作時，在對應的相變存儲器單元處產生熱量。

在相變存儲器單元處產生的熱量會對與被編程的相變存儲器單元相鄰的其他相變存儲器單元有不期望的影響。例如，如果太多的熱量被傳遞到與被選擇編程的存儲器單元相鄰的相變存儲器單元，則可能發生不期望的置位操作或復位操作，并且這些相鄰的相變存儲器單元的電阻值可能被改變(即，被干擾)。一行或多行存儲器單元的重復讀取操作還可能造成對于相鄰行的存儲器單元的不期望的干擾。

發明內容

本發明構思的實施例提供了一種通過檢查鄰近或相鄰存儲器單元的干擾而具有改善的可靠性的半導體存儲器器件(例如，存儲器模塊、控制器和/或相變存儲器器件)、訪問相變存儲器器件的方法、以及實現其的系統。

在一些示例中，半導體存儲器器件包括存儲器單元陣列，其包括布置在多個存儲器單元行中的多個存儲器單元，每個存儲器單元包括可變電阻器，可變電阻器包括具有可變電阻的材料；多個字線，每個字線連接到對應的存儲器行；控制邏輯電路，被配置為將數據寫入存儲器單元陣列并且從存儲器單元陣列讀取數據；以及檢查器電路，被配置為：響應于對第一存儲器單元行的寫入操作，引起與所述第一存儲器單元行緊鄰的第二存儲器單元行的檢查讀取操作，以確定所述第二存儲器單元行的編程狀態是否指示對所述第二存儲器單元行的編程狀態的寫入干擾。

在一些示例中，存儲器器件可以是存儲器模塊并且包括：印刷電路板；多個非易失性存儲器半導體芯片，包括連接到印刷電路板的第一非易失性存儲器半導體芯片，每個非易失性存儲器半導體芯片包括非易失性存儲器單元的存儲器單元陣列，每個非易失性存儲器單元包括可變電阻器，可變電阻器包括具有可變電阻的材料，非易失性存儲器單元布置在多個存儲器單元行中，以及控制邏輯電路，被配置為通過改變所選擇的存儲器單元行中的存儲器單元的電阻將數據寫入存儲器單元陣列，被配置為通過將所選擇的存儲器單元行中的存儲器單元的電阻與參考電阻值進行比較來從存儲器單元陣列中讀取數據；以及控制器，連接到印刷電路板并通過印刷電路板的一個或多個總線連接到多個非易失性存儲器半導體芯片，控制器包括檢查器電路。

檢查器電路可以被配置為執行隨機間隔相鄰檢查(RINC)，其包括響應于對第一非易失性存儲器芯片的第一存儲器單元行的第一寫入操作，對第一非易失性存儲器芯片中的與第一存儲器單元行緊鄰的第二存儲器單元行執行檢查讀取操作，以確定第二存儲器單元行的編程狀態是否指示對第二存儲器單元行的編程狀態的寫入干擾。

檢查器電路可以被配置為響應于確定第二存儲器單元行的編程狀態指示寫入干擾而對第二存儲器單元行執行刷新操作。