[發明專利]襯底的分離方法、半導體存儲裝置的制造方法及襯底分離裝置

在審

• 申請號: 201910738543.6
• 申請日: 2019-08-12
• 公開（公告）號: CN111681983A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 曽田栄一
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;H01L27/11556;H01L27/11582
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種襯底的分離方法，其特征在于：分離具有第1襯底及第2襯底的貼合襯底，

所述貼合襯底在所述第1襯底的第1面上配置有碳膜，

在所述碳膜上配置有存儲單元，

在所述存儲單元上配置有第1連接端子，

在所述第2襯底的第1面上配置有晶體管，

在所述晶體管上配置有第2連接端子，

所述第1襯底與所述第2襯底是

在所述第1襯底的所述第1面與所述第2襯底的所述第1面對向的方向上，將配置有所述存儲單元的側的面與配置有所述晶體管的側的面接合，且所述第1連接端子與所述第2連接端子連接，且

所述襯底的分離方法是去除所述碳膜，

從所述貼合襯底分離所述第1連接端子與所述第2連接端子連接的所述存儲單元及所述第2襯底。

2.根據權利要求1所述的襯底的分離方法，其特征在于：所述第2襯底是半導體襯底，

所述晶體管是

在所述第2襯底的表層具有有源區域。

3.根據權利要求1所述的襯底的分離方法，其特征在于：在去除所述碳膜時，

利用等離子體灰化及濕式處理的至少任一種方法去除所述碳膜。

4.根據權利要求1所述的襯底的分離方法，其特征在于：在去除所述碳膜前，所述存儲單元由絕緣層覆蓋，

所述絕緣層的所述存儲單元被劃線包圍，在相當于所述劃線的位置上，配置有槽，該槽在所述絕緣層的深度方向上延伸直至到達所述碳膜，且與所述絕緣層的外側連通。

5.根據權利要求1所述的襯底的分離方法，其特征在于：在分離所述貼合襯底時，

將所述第1襯底保持在具備第1真空吸盤、第1靜電吸盤或鉤爪的任一個的第1保持器，

將所述第2襯底保持在具備第2真空吸盤或第2靜電吸盤的第2保持器，

通過拉開所述第1保持器與所述第2保持器的距離來分離所述貼合襯底。

6.根據權利要求5所述的襯底的分離方法，其特征在于：在分離所述貼合襯底時，

對所述第1襯底與所述存儲單元之間進行氣體噴射、液體噴射、振動施加及聲波施加的至少任一個，而輔助所述貼合襯底的分離。

7.根據權利要求6所述的襯底的分離方法，其特征在于：對所述第1襯底與所述存儲單元之間進行氣體噴射、液體噴射、振動施加及聲波施加的至少任一個時，將這至少任一個脈沖化而進行。

8.一種半導體存儲裝置的制造方法，其特征在于：

在第1襯底的第1面上形成碳膜，

在所述碳膜上形成存儲單元，

形成連接在所述存儲單元的接點與連接在所述接點的第1連接端子，

在第2襯底的第1面上形成晶體管，

形成連接在所述晶體管的接點與連接在所述接點的第2連接端子，

以所述第1連接端子與所述第2連接端子相互對向的方式將形成有所述存儲單元的所述第1襯底與形成有所述晶體管的所述第2襯底接合，將所述第1連接端子與所述第2連接端子相互連接，

去除所述碳膜，

從形成有所述存儲單元的所述第1襯底及所述第2襯底分離所述存儲單元及所述第2襯底。

9.根據權利要求8所述的半導體存儲裝置的制造方法，其特征在于：所述第2襯底是半導體襯底，

所述晶體管

在所述第2襯底的表層具有有源區域。

10.根據權利要求8所述的半導體存儲裝置的制造方法，其特征在于：在去除所述碳膜時，

利用等離子體灰化及濕式處理的至少任一種方法去除所述碳膜。

11.根據權利要求8所述的半導體存儲裝置的制造方法，其特征在于：在去除所述碳膜前，所述存儲單元由絕緣層覆蓋，所述絕緣層的所述存儲單元被劃線包圍，在相當于所述劃線的位置上，配置有槽，該槽在所述絕緣層的深度方向上延伸直至到達所述碳膜，且與所述絕緣層的外側連通。