[發明專利]一種DRAM的低功耗模式的實現方法及終端

在審

• 申請號: 201910738337.5
• 申請日: 2019-08-12
• 公開（公告）號: CN112394805A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 楊凱
• 申請（專利權）人: 福州瑞芯微電子股份有限公司
• 主分類號: G06F1/3234
• 分類號: G06F1/3234;G11C5/14
• 代理公司: 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 柯玉珊

1.一種DRAM的低功耗模式的實現方法，其特征在于，包括步驟：

確定對所述DRAM進行數據訪問的應用類型；

根據所述應用類型配置對應的低功耗模式的控制策略。

2.根據權利要求1所述的一種DRAM的低功耗模式的實現方法，其特征在于，若所述DRAM為多通道DRAM，則將不同應用類型訪問的數據存儲至不同的DRAM通道。

3.根據權利要求1所述的一種DRAM的低功耗模式的實現方法，其特征在于，若所述DRAM為多通道DRAM，則為不同的DRAM通道獨立配置對應的低功耗模式的控制策略。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的一種DRAM的低功耗模式的實現方法，其特征在于，所述低功耗模式的控制策略的配置在數據訪問過程中可以進行動態調整。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的一種DRAM的低功耗模式的實現方法，其特征在于，所述低功耗模式的控制策略包括對低功耗模式的類型的選擇和/或對選擇的低功耗模式的進入時間和/或退出時間的控制。

6.根據權利要求5所述的一種DRAM的低功耗模式的實現方法，其特征在于，若對所述DRAM的數據訪問為幀數據訪問，則每一幀數據訪問結束，立即控制所述DRAM進入所選擇的第一低功耗模式。

7.根據權利要求6所述的一種DRAM的低功耗模式的實現方法，其特征在于，還包括：

根據所述幀數據訪問的幀間隔定時觸發所述DRAM退出所選擇的第一低功耗模式。

8.根據權利要求7所述的一種DRAM的低功耗模式的實現方法，其特征在于，所述定時觸發的觸發時間為：下一幀有效數據的訪問時間減去所選擇的第一低功耗模式退出消耗的時間。

9.根據權利要求5所述的一種DRAM的低功耗模式的實現方法，其特征在于，若對所述DRAM的數據訪問為屏幕數據訪問，則所述屏幕數據的每一行數據訪問結束，立即控制所述DRAM進入所選擇的第二低功耗模式；

所述屏幕數據的每一幀數據訪問結束，立即控制所述DRAM進入所選擇的第三低功耗模式。

10.根據權利要求9所述的一種DRAM的低功耗模式的實現方法，其特征在于，還包括：

根據所述屏幕數據訪問的行間隔定時觸發所述DRAM退出所選擇的第二低功耗模式；

根據所述屏幕數據訪問的幀間隔定時觸發所述DRAM退出所選擇的第三低功耗模式。

11.根據權利要求10所述的一種DRAM的低功耗模式的實現方法，其特征在于，所述定時觸發所述第二低功耗模式退出的觸發時間為：下一行有效數據的訪問時間減去所選擇的第二低功耗模式退出消耗的時間；

所述定時觸發所述第三低功耗模式退出的觸發時間為：下一幀有效數據的訪問時間減去所選擇的第三低功耗模式退出消耗的時間。

12.根據權利要求9至11中任一項所述的一種DRAM的低功耗模式的實現方法，其特征在于，所述第二低功耗模式為斷電模式；

所述第三低功耗模式為自刷新模式。

13.一種DRAM的低功耗模式的實現終端，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在所述處理器上運行的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序時實現以下步驟：

確定對所述DRAM進行數據訪問的應用類型；

根據所述應用類型配置對應的低功耗模式的控制策略。

14.根據權利要求13所述的一種DRAM的低功耗模式的實現終端，其特征在于，若所述DRAM為多通道DRAM，則將不同應用類型訪問的數據存儲至不同的DRAM通道。