[發明專利]一種高頻寬溫低損耗MnZn鐵氧體材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201910737879.0
• 申請日: 2019-08-12
• 公開（公告）號: CN110517840A
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: 韓奎
• 申請（專利權）人: 無錫斯貝爾磁性材料有限公司;江蘇省晶石磁性材料與器件工程技術研究有限公司
• 主分類號: H01F1/34
• 分類號: H01F1/34;C04B35/26;C04B35/622
• 代理公司: 11249 北京中恒高博知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉震<國際申請>=<國際公布>=<進入國

本發明公開了一種高頻寬溫低損耗MnZn鐵氧體材料，所述鐵氧體材料是四元系FeMnZnNi鐵氧體材料，由主成份和輔助成份組成，其中主成份的組成為71～77.4mol％的Fe₂O₃，2～13.8mol％的ZnO，0.001～1mol％的Ni₂O₃，余量為Mn₃O₄；按主成份總重量計，輔助成份的組成為CaCO₃：200～2000ppm、Nb₂O₅：0～500ppm、V₂O₅：0～500ppm、SnO₂：0～1000ppm、TiO₂：0～2000ppm、ZrO₂：0～200ppm、Ta₂O₅：0～200ppm、GeO₂：0～1000ppm、Co₃O₄：0～3000ppm、Bi₂O₃：0～1000ppm、SiO₂：0～200ppm；還有其制備方法。該材料不含成本較高的In₂O，通過有效控制配方、燒結工藝，所得材料可以達到：初始磁導率900+25％，25℃飽和磁通密度≥530mT，500kHz/50mT寬溫下損耗≤80mW/cm³，1MHz/50mT寬溫下損耗≤170mW/cm³，3MHz/30mT寬溫下損耗≤570mW/cm³，5MHz/10mT寬溫下損耗≤260mW/cm³，高頻(500kHz～5MHz)、寬溫(?30～140℃)下的損耗、常高溫的磁通密度有較大提升，擴大了溫度使用區間，提高了在極寒地區的使用能力。

技術領域

本發明屬于錳鋅鐵氧體技術領域，具體涉及一種高頻寬溫低損耗MnZn鐵氧體材料及其制備方法。

背景技術

MnZn鐵氧體作為一種重要的軟磁鐵氧體材料，被廣泛應用在電子通訊領域的電源變壓器材料，近些年市場對電子器件的高頻化、小型化應用提出強烈需求，高Bs有利于電子產品的小型化，高頻低損耗可有效降低器件的工作效率。

在專利方面，CN109095915A公開的MnZn鐵氧體材料應用溫度范圍僅限3MHz～5MHz的頻率區間和20℃～120℃的溫度區間具有超低損耗，而且含有成本較高的In₂O；CN107129291B公開的MnZn軟磁鐵氧體損耗偏高。

發明內容

本發明的第一個目的是為了克服上述缺陷，提供一種高頻寬溫低損耗MnZn鐵氧體材料。

本發明的第二個目的是為了提供上述材料的制備方法。

本發明的目的通過以下技術方案來具體實現：