[發(fā)明專利]一種芯片雙面對準鍵合機在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910735952.0 | 申請日: | 2019-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN110491806A | 公開(公告)日: | 2019-11-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李國強 | 申請(專利權(quán))人: | 河源市眾拓光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司: | 44288 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 陶潔雯<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址: | 517000 廣東省河*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 卡盤 底部卡盤 雙面對準 真空吸盤 鍵合機 芯片 第一驅(qū)動機構(gòu) 驅(qū)動機構(gòu) 機械臂 下端面 晶圓 吸附 耗時 對準 | ||
1.一種芯片雙面對準鍵合機,其特征在于:
包括具有第一標識的頂部卡盤、設(shè)置在所述頂部卡盤下方的具有第二標識的底部卡盤、設(shè)置在所述頂部卡盤與所述底部卡盤之間的機械臂、用于帶動所述頂部卡盤的第一驅(qū)動機構(gòu)以及用于帶動所述底部卡盤橫向移動的第二驅(qū)動機構(gòu);
所述頂部卡盤下端面設(shè)置有第一真空吸盤,所述第一真空吸盤用于吸附帶有第三標識的上晶圓;
所述底部卡盤上端面設(shè)置有第二真空吸盤,所述第二真空吸盤用于吸附帶有第四標識的下晶圓;
所述機械臂上端設(shè)置有上識別裝置,所述機械臂下端設(shè)置有下識別裝置,所述上識別裝置用于識別第一標識和第三標識,所述下識別裝置用于識別第二標識和第四標識;
還包括控制器,所述控制器與第一真空吸盤、第二真空吸盤、上識別裝置、下識別裝置、機械臂、第一驅(qū)動機構(gòu)以及第二驅(qū)動機構(gòu)電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的一種芯片雙面對準鍵合機,其特征在于:所述頂部卡盤表面設(shè)置有至少三個以所述上晶圓圓心為中心呈圓周陣列分布的頂部卡盤定位塊。
3.如權(quán)利要求2所述的一種芯片雙面對準鍵合機,其特征在于:所述底部卡盤表面設(shè)置有至少三個以所述下晶圓圓心為中心呈圓周陣列分布的底部卡盤定位塊。
4.如權(quán)利要求1所述的一種芯片雙面對準鍵合機,其特征在于:所述第一標識以及所述第二標識呈框型或十字型設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1所述的一種芯片雙面對準鍵合機,其特征在于:所述頂部卡盤上端及所述底部卡盤下端設(shè)置有加熱裝置。
6.如權(quán)利要求1所述的一種芯片雙面對準鍵合機,其特征在于:還包括與與所述控制器電連接的顯示器。
7.如權(quán)利要求1所述的一種芯片雙面對準鍵合機,其特征在于:所述下識別裝置與所述上識別裝置呈對稱設(shè)置。
8.如權(quán)利要求1所述的一種芯片雙面對準鍵合機,其特征在于:所述第一標識和第二標識采用相同的標識,所述第三標識和第四標識也采用相同的標識。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





