[發(fā)明專利]多摻雜硅錠的制備方法、多摻雜硅錠和硅片

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910735093.5
• 申請日: 2019-08-09
• 公開（公告）號: CN110438566A
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 明亮;段金剛;黃美玲;劉福剛
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南紅太陽光電科技有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B11/04;C30B28/06
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙) 43008
• 代理人: 周長清;何文紅

1.一種多摻雜硅錠的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、將硅料、硼硅合金、磷硅合金和鎵合金混合，得到混合物料；所述混合物料中硅、硼、磷、鎵的濃度比為1︰5.1×10^-8～1.1×10^-6︰6.4×10^-10～3.1×10^-6︰2.0×10^-9～4.2×10^-5；

S2、將步驟S1中的混合物料進(jìn)行熔化、再結(jié)晶和退火冷卻，得到多摻雜硅錠。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述混合物料中硅、硼、磷、鎵的濃度比為1︰5.1×10^-8～1.1×10^-6︰6.4×10^-10～3.1×10^-6︰3.56×10^-7～4.2×10^-5。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述混合物料中硅、硼、磷、鎵的濃度比為1︰2.72×10^-7～8.13×10^-7︰7.37×10^-8～6.98×10^-7︰3.56×10^-7～4.2×10^-5。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述混合物料中硅、硼、磷、鎵的濃度比為1︰2.72×10^-7～8.13×10^-7︰7.37×10^-8～6.98×10^-7︰1.81×10^-6～4.2×10^-5。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述硅料為原生硅料、回爐硅料、提純錠、片料中的至少一種；所述鎵合金為單質(zhì)鎵、硅鎵合金、磷鎵合金、硼鎵合金、硼硅鎵合金、磷硅鎵合金中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述多摻雜硅錠為有籽晶高效多晶硅錠和鑄造單晶硅錠時，所述硅料中還包括籽晶，在熔化過程中混合物料中的籽晶部分熔化，硼硅合金、磷硅合金和鎵合金需要全部熔化。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述多摻雜硅錠為普通多晶硅錠時，在熔化過程中混合物料中硅料、硼硅合金、磷硅合金和鎵合金需要全部熔化。

8.一種多摻雜硅錠，其特征在于，所述多摻雜硅錠由權(quán)利要求1～7中任一項所述的制備方法制備得到。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多摻雜硅錠，其特征在于，所述多摻雜硅錠為多晶硅錠或單晶硅錠；所述多摻雜硅錠的電阻率范圍為0.5Ω·cm～3.0Ω·cm；所述多摻雜硅錠的縱向電阻率分布在0.1Ω·cm以內(nèi)。

10.一種硅片，其特征在于，所述硅片由權(quán)利要求8或9所述的多摻雜硅錠經(jīng)過開方、切片后制得。