[發(fā)明專利]波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、光器件及波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910733165.2
• 申請(qǐng)日: 2019-08-09
• 公開（公告）號(hào): CN110600985A
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡曉;肖希;王磊;張宇光;陳代高;李淼峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢光谷信息光電子創(chuàng)新中心有限公司
• 主分類號(hào): H01S3/11
• 分類號(hào): H01S3/11
• 代理公司: 11270 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王軍紅;張穎玲

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、光器件及波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的制作方法，所述波導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括：第一電介質(zhì)層；芯層，堆疊在第一電介質(zhì)層上，芯層的折射率大于第一電介質(zhì)層的折射率；第二電介質(zhì)層，堆疊在芯層上；其中，第二電介質(zhì)層包括凹槽，凹槽的開口背離芯層，第二電介質(zhì)層的折射率小于芯層的折射率；吸收層，覆蓋在第二電介質(zhì)層外表面，與凹槽的側(cè)壁以及凹槽的底部接觸；其中，吸收層具有非線性飽和吸收性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、光器件及波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的制作方法。

背景技術(shù)

飛秒激光器是光通信技術(shù)領(lǐng)域的核心器件之一，它能夠產(chǎn)生具有廣泛用途的飛秒級(jí)脈沖光源。基于非線性飽和吸收體制備的芯片級(jí)飛秒激光器，能夠形成超短脈沖，且具備穩(wěn)定性高和尺寸小等優(yōu)勢(shì)。相關(guān)技術(shù)中，在改變飛秒激光器的調(diào)制深度的同時(shí)，會(huì)引入本征損耗，降低飛秒激光器的性能。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、光器件及波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的制作方法。

本發(fā)明實(shí)施例第一方面提供一種波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，包括：

第一電介質(zhì)層；

芯層，堆疊在所述第一電介質(zhì)層上，所述芯層的折射率大于所述第一電介質(zhì)層的折射率；

第二電介質(zhì)層，堆疊在所述芯層上；其中，所述第二電介質(zhì)層包括凹槽，所述凹槽的開口背離所述芯層，所述第二電介質(zhì)層的折射率小于所述芯層的折射率；

吸收層，覆蓋在所述第二電介質(zhì)層外表面，與所述凹槽的側(cè)壁以及所述凹槽的底部接觸；其中，所述吸收層具有非線性飽和吸收性。

可選地，當(dāng)所述第二電介質(zhì)層中包括多個(gè)所述凹槽時(shí)，至少兩個(gè)所述凹槽的開口尺寸相同；

和/或，

當(dāng)所述第二電介質(zhì)層中包括多個(gè)所述凹槽時(shí)，至少兩個(gè)所述凹槽的底部與所述芯層之間的距離相同。

可選地，所述吸收層包括：

單層結(jié)構(gòu)；

或，

多層結(jié)構(gòu)，包括層疊設(shè)置的多個(gè)子吸收層；其中，所述多層結(jié)構(gòu)中包括至少兩個(gè)非線性飽和吸收性相同的所述子吸收層。

可選地，組成所述吸收層的材料包括：二維材料。

可選地，所述二維材料包括以下至少之一：

石墨烯；

二硫化鉬；

黑磷；

硒化銻；

碲化鉍。

可選地，所述吸收層的厚度為0.35nm至30nm。

本發(fā)明實(shí)施例第二方面提供一種光器件，包括：

上述發(fā)明實(shí)施例第一方面任一項(xiàng)提供的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；

第一過渡結(jié)構(gòu)，所述第一過渡結(jié)構(gòu)的第一端與輸入光纖耦合，所述第一過渡結(jié)構(gòu)的第二端與所述波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的第一端耦合；

第二過渡結(jié)構(gòu)，所述第二過渡結(jié)構(gòu)的第一端與所述波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的第二端耦合，所述第二過渡結(jié)構(gòu)的第二端與輸出光纖耦合。

本發(fā)明實(shí)施例第三方面提供一種波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：

形成第一電介質(zhì)層；

形成堆疊在所述第一電介質(zhì)層上的芯層；其中，所述芯層的折射率大于所述第一電介質(zhì)層的折射率；