[發(fā)明專(zhuān)利]一種鈍化接觸雙面太陽(yáng)電池的制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910732834.4
• 申請(qǐng)日: 2019-08-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110571304A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘瀟;白玉磐;付少劍;陳園
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 江西展宇新能源股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 11227 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王小清

1.一種鈍化接觸雙面太陽(yáng)電池的制作方法，包括：將背面沉積氮化硅薄膜的硅片依次經(jīng)過(guò)：

1)去繞鍍及制絨；

2)硼擴(kuò)散；

3)邊緣隔離；

4)去除BSG；

5)沉積正面鈍化層氧化鋁層和氮化硅層；

6)絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)；

得到鈍化接觸雙面太陽(yáng)電池。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述背面沉積氮化硅薄膜的硅片按照以下方法制備得到：

1-1)對(duì)硅片進(jìn)行單面拋光，得到單面拋光的硅片；

1-2)在單面拋光的硅片的拋光面生長(zhǎng)氧化硅層和沉積本征非晶硅層；

1-3)對(duì)步驟1-2)得到的硅片進(jìn)行磷擴(kuò)散；

1-4)將步驟1-3)得到的硅片沉積氮化硅薄膜，得到背面沉積氮化硅薄膜的硅片。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述氧化硅層的厚度為1～2nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述本征非晶硅層的厚度為100～200nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述磷擴(kuò)散的擴(kuò)散溫度為700～780℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述去繞鍍及制絨具體步驟為：

將背面沉積氮化硅薄膜的硅片置于含有5～8wt％氫氧化鉀溶液的常規(guī)單晶制絨設(shè)備中，在65～75℃下進(jìn)行去繞鍍；

然后在制絨槽中加入制絨添加劑，在80～85℃進(jìn)行制絨，得到去繞鍍及正面制絨的硅片。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述去繞鍍的時(shí)間為130～180秒。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硼擴(kuò)散的擴(kuò)散溫度為850～950℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化鋁層的厚度為5～30nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為50～90nm。