[發明專利]紫外LED的外延結構在審
| 申請號： | 201910731901.0 | 申請日： | 2019-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN110473940A | 公開（公告）日： | 2019-11-19 |
| 發明（設計）人： | 付羿;劉衛 | 申請（專利權）人： | 晶能光電(江西)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 量子阱層 勢壘層 周期性結構 發光層 最下層 源區 多量子阱結構 應力控制層 襯底表面 晶格缺陷 量子限制 外延結構 有效緩解 紫外LED 擴展層 生長 緩解 | ||
【權利要求書】：
1.一種紫外LED的外延結構，其特征在于，包括：在生長襯底表面依次生長的應力控制層、n型電流擴展層、有源區發光層及p型電流擴展層；其中，有源區發光層為由InaGa1-aN量子阱層和AlbGa1-bN勢壘層形成的周期性結構，周期為4～7；
在該周期性結構中，由下到上InaGa1-aN量子阱層的厚度逐層增加15％，0.01<a<0.05，最下層的InaGa1-aN量子阱層的厚度為2～4nm；由下到上AlbGa1-bN勢壘層中的Al組分b逐層增加15％，最下層的AlbGa1-bN勢壘層中0.06<b<0.08。
2.如權利要求1所述的紫外LED的外延結構，其特征在于，AlbGa1-bN勢壘層的厚度為10～15nm。
3.如權利要求1或2所述的紫外LED的外延結構，其特征在于，AlbGa1-bN勢壘層中摻雜有濃度在5×1016～5×1018cm-2之間的硅。
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