[發(fā)明專利]像素陣列封裝結(jié)構(gòu)及顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910730800.1
• 申請(qǐng)日: 2019-08-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110858599B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳慧茹;梁建欽;陳若翔;賴隆寬;蔡承佑;蘇信綸;陳廷楷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 隆達(dá)電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/50
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

一種像素陣列封裝結(jié)構(gòu)及顯示面板。像素陣列封裝結(jié)構(gòu)包含基板、像素陣列、反射層、吸光層以及透光層。像素陣列設(shè)置于基板上。像素陣列包含多個(gè)發(fā)光二極管芯片。這些發(fā)光二極管芯片包含至少一紅光二極管芯片、至少一綠光二極管芯片、至少一藍(lán)光二極管芯片及其組合。反射層設(shè)置于基板上并位于任兩相鄰的發(fā)光二極管芯片之間。吸光層位于反射層上方并環(huán)繞像素陣列。透光層設(shè)置于像素陣列、反射層及吸光層上。透光層具有一上表面及與其相對(duì)的一下表面。下表面接觸像素陣列且上表面具有一粗糙度為0.005至0.1mm。本發(fā)明提供的多個(gè)實(shí)施方式可以在不損失對(duì)比度的情況下，增加發(fā)光二極管芯片的出光亮度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種像素陣列封裝結(jié)構(gòu)及顯示面板。

背景技術(shù)

隨著顯示科技日新月異的進(jìn)步，除了傳統(tǒng)的液晶顯示面板外，更有顯示面板是直接采用三原色發(fā)光二極管(RGB?Light?Emitting?Diode，RGB?LED)同時(shí)做為顯示像素及發(fā)光源。由于發(fā)光二極管具有低耗電的優(yōu)點(diǎn)，故采用發(fā)光二極管的顯示面板可有效節(jié)省傳統(tǒng)液晶面板所需耗費(fèi)的電力，可幫助節(jié)能減碳及環(huán)境保護(hù)，可望成為顯示技術(shù)領(lǐng)域的新寵兒。三原色顯示(RGB?display)因受限于平面裝配裝置(Surface?Mounted?Devices)封裝的制程極限而無(wú)法達(dá)到小間距(pitch)作業(yè)。然而，現(xiàn)今的顯示器邁向基板上芯片(Chip?OnBoard)封裝制程發(fā)展，因此，次毫米發(fā)光二極管(mini?LED)和微型發(fā)光二極管(micro?LED)皆可達(dá)到小間距作業(yè)。

在三原色顯示的技術(shù)中，除了色彩鮮艷度之外，尚有一指標(biāo)決定了畫(huà)面的鮮明度，就是對(duì)比度。在小間距中增加對(duì)比度的方式中，除了基板本身采用黑色的板材外，便是在封裝膠體中增加吸光粒子。吸光粒子除了可以降低發(fā)光二極管側(cè)向光之間的影響，也可以吸收來(lái)自外界的光源，以增加對(duì)比度，然而也造成正向光的出光降低問(wèn)題。

此外，現(xiàn)有的大型顯示面板拼接技術(shù)，是把多個(gè)小型的顯示面板相互堆疊組裝以形成一大型的顯示面板，由于顯示面板的邊框以及各個(gè)顯示器之間存有縫隙，故于大型顯示面板顯示時(shí)會(huì)產(chǎn)生畫(huà)面切割不連續(xù)的問(wèn)題，進(jìn)而影響顯示的品質(zhì)。為改善上述問(wèn)題，而發(fā)展出窄邊框的顯示面板，以縮小各顯示器間于拼接時(shí)的縫隙。然而，縱使采用現(xiàn)有最窄邊框的顯示面板，為避免各顯示面板相互擠壓而造成傷害，仍須保留一定的安全距離，故大型顯示面板仍會(huì)有拼接縫的產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的一目的在于提出一種可解決上述問(wèn)題的像素陣列封裝結(jié)構(gòu)及顯示面板。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的一態(tài)樣是提供一種像素陣列封裝結(jié)構(gòu)，其包含基板、像素陣列、反射層、吸光層以及透光層。像素陣列設(shè)置于基板上。像素陣列包含多個(gè)發(fā)光二極管芯片。這些發(fā)光二極管芯片包含至少一紅光二極管芯片、至少一綠光二極管芯片、至少一藍(lán)光二極管芯片及其組合。反射層設(shè)置于基板上并位于任兩相鄰的發(fā)光二極管芯片之間。吸光層位于反射層上方并環(huán)繞像素陣列。透光層設(shè)置于像素陣列、反射層及吸光層上。透光層具有一上表面及與其相對(duì)的一下表面。下表面接觸像素陣列且上表面具有一表面粗糙度(surface?roughness)為0.005至0.1mm。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，此像素陣列封裝結(jié)構(gòu)還包含一抗外界光材料設(shè)置于透光層上。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，此抗外界光材料為偏光片。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，反射層由膠體材料及無(wú)機(jī)粒子的混合物所組成，其中無(wú)機(jī)粒子包含二氧化鈦、氮化硼、二氧化硅、硫酸鋇或氧化鋁。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，吸光層的下表面與像素陣列的上表面實(shí)質(zhì)上齊平。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，吸光層的上表面與像素陣列的上表面實(shí)質(zhì)上齊平。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，吸光層由膠體材料及無(wú)機(jī)材料所組成或由膠體材料及有機(jī)材料所組成。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，無(wú)機(jī)材料為碳粉或鈣鈦礦。