[發明專利]電阻式存儲器裝置

在審

• 申請號: 201910730562.4
• 申請日: 2019-08-08
• 公開（公告）號: CN110827895A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 樸賢國
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

一種電阻式存儲器裝置包括：存儲器單元陣列，其包括連接在第一信號線和第二信號線之間的存儲器單元；控制電路，其被構造為產生用于控制對存儲器單元執行的數據寫操作的寫控制信號和用于控制對存儲在存儲器單元中的數據進行讀取的數據讀操作的讀控制信號；寫電路，其被構造為供應寫電流以支持數據寫操作；讀電路，其被構造為供應讀電流以支持數據讀操作；列解碼器電路，其被構造為基于寫控制信號將寫電路電連接至第一信號線；以及行解碼器電路，其被構造為基于讀控制信號將讀電路電連接至第二信號線。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年8月8日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2018-0092667的權益，該申請的公開以引用方式全文并入本文中。

技術領域

本發明構思涉及電阻式存儲器裝置，并且更具體地說，涉及寫電流和讀電流在不同的方向上施加的電阻式存儲器裝置。

背景技術

由于存儲器裝置需要更大的存儲容量和更低的功耗，正在研究下一代非易失性且不需要刷新操作的存儲器裝置。下一代存儲器裝置可具有動態隨機存取存儲器(DRAM)的高度集成、閃速存儲器的非易失性和靜態隨機存取存儲器(SRAM)的高速性。目前引起人們廣泛關注并滿足上述要求的一些下一代存儲器裝置包括相變隨機存取存儲器(PRAM)、納米浮柵存儲器(NFGM)、聚合物隨機存取存儲器(PoRAM)、磁隨機存取存儲器(MRAM)、鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)和電阻隨機存取存儲器(ReRAM)。

發明內容

本發明構思的一些示例實施例提供了電阻式存儲器裝置，其被構造為減小由當讀取數據時發生的尖峰電流導致的劣化。

根據本發明構思的一些示例實施例，一種電阻式存儲器裝置可包括多條第一信號線和多條第二信號線。所述多條第二信號線中的各第二信號線可與所述多條第一信號線中的各第一信號線交叉。電阻式存儲器裝置可包括存儲器單元陣列，其包括多個存儲器單元。所述多個存儲器單元中的各個存儲器單元可在第一端連接至所述多條第一信號線中的一條第一信號線，并且可在第二端連接至所述多條第二信號線中的一條第二信號線。電阻式存儲器裝置可包括寫電路，其被構造為通過所述多條第一信號線中的至少一條第一信號線將寫電流供應至所述多個存儲器單元中的至少一個存儲器單元，寫電流與將數據寫入所述至少一個存儲器單元中相關聯。電阻式存儲器裝置可包括讀電路，其被構造為通過所述多條第二信號線中的至少一條第二信號線將讀電流供應至所述多個存儲器單元中的所述至少一個存儲器單元，讀電流與讀取存儲在所述至少一個存儲器單元中的數據相關聯。

根據本發明構思的一些示例實施例，一種電阻式存儲器裝置可包括在第一方向上彼此間隔開的多條第一信號線，所述多條第一信號線各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸。電阻式存儲器裝置可包括在第二方向上彼此間隔開的多條第二信號線，所述多條第二信號線各自在第一方向上延伸，所述多條第二信號線在第三方向上與所述多條第一信號線間隔開，第三方向垂直于第一方向和第二方向二者。電阻式存儲器裝置可包括存儲器單元陣列，其包括多個存儲器單元。所述多個存儲器單元中的各個存儲器單元可在第一端連接至所述多條第一信號線中的一條第一信號線，并且可在第二端連接至所述多條第二信號線中的一條第二信號線。電阻式存儲器裝置可包括寫電路，其被構造為將寫電流供應至所述多個存儲器單元中的至少一個存儲器單元，以使得寫電流經所述至少一個存儲器單元從所述多條第一信號線中的對應的第一信號線流至所述多條第二信號線中的對應的第二信號線，寫電流與將數據寫入所述至少一個存儲器單元中相關聯。電阻式存儲器裝置可包括讀電路，其被構造為將讀電流供應至所述至少一個存儲器單元，以使得讀電流從對應的第二信號線經所述至少一個存儲器單元流至對應的第一信號線，讀電流與讀取存儲在所述至少一個存儲器單元中的數據相關聯。