[發(fā)明專利]層間絕緣層及薄膜晶體管的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910730276.8
• 申請(qǐng)日: 2019-08-08
• 公開（公告）號(hào): CN110429024B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王明;趙策;宋威
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/34;H01L29/786;C23C16/34;C23C16/40
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

1.一種層間絕緣層的制備方法，包括形成氧化硅膜層和氮化硅膜層的步驟；其特征在于，所述形成氧化硅膜層和氮化硅膜層的步驟，包括：

利用第一反應(yīng)性氣體形成氧化硅膜層和利用第二反應(yīng)性氣體形成氮化硅膜層，以使所形成的氮化硅膜層中的氫含量小于或者等于氧化硅膜層中的氫含量；

所述利用第二反應(yīng)性氣體形成氮化硅膜層，包括：

利用三硅胺和氮?dú)猓练e形成氮化硅膜層；所述氮化硅膜層中的氫含量為1％至2％；其中，反應(yīng)溫度為250℃以下，壓強(qiáng)為3torr，三硅胺的流速為3slm至9slm，氮?dú)獾牧魉贋?.1slm至6slm時(shí)，所述氮化硅膜層中的氫含量為1.8％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層間絕緣層的制備方法，其特征在于，所述利用第一反應(yīng)性氣體形成氧化硅膜層，包括：

利用甲硅烷和一氧化二氮，沉積形成氧化硅膜層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層間絕緣層的制備方法，其特征在于，所述氧化硅膜層中的氫含量為1％至2％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層間絕緣層的制備方法，其特征在于，所述氮化硅膜層的介電常數(shù)高于所述氧化硅膜層的介電常數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層間絕緣層的制備方法，其特征在于，所述氧化硅膜層的厚度大于2500埃，所述氮化硅膜層的厚度大于2500埃。

6.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述層間絕緣層的制備方法。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，形成包括氧化硅膜層和氮化硅膜層組成的層間絕緣層之前，包括：

在基底上依次形成有源層、柵極絕緣層和柵極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述有源層包括氧化物有源層；

形成所述層間絕緣層的步驟包括：依次形成所述氧化硅膜層和所述氮化硅膜層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，形成包括氧化硅膜層和氮化硅膜層組成的層間絕緣層之后，包括：

通過構(gòu)圖工藝，形成貫穿于所述氧化硅膜層和所述氮化硅膜層的源極接觸過孔和漏極接觸過孔；

在所述氮化硅膜層上源極和漏極，使得所述源極通過所述源極接觸過孔與所述有源層連接，所述漏極通過所述漏極接觸過孔與所述有源層連接。