[發明專利]發光二極管外延片及其生長方法、發光二極管、顯示裝置

在審

• 申請號: 201910729686.0
• 申請日: 2019-08-08
• 公開（公告）號: CN110416374A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 林志偉;陳凱軒;曲曉東;趙斌;蔡建九
• 申請（專利權）人: 廈門乾照半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00;H01L33/32
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• 代理人: 暫無信息

1.發光二極管外延片，包括襯底、及依次層疊于所述襯底上表面的第一型導電層、有源層和第二型導電層，其特征在于，所述有源層包括n個依次堆疊的周期單元，所述周期單元包括量子壘層、量子阱層及設置在所述量子阱層的至少一表面的界面調節層；所述界面調節層包括Te摻雜的Ⅲ-Ⅴ族化合物層。

2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述量子壘層包括Si摻雜的勢壘層。

3.根據權利要求2所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述量子阱層包括非摻雜的勢阱層。

4.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述界面調節層的厚度小于2nm。

5.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述n為正整數，且1≤n≤20。

6.發光二極管，其特征在于，所述發光二極管包括權利要求1-5任一項所述的發光二極管外延片。

7.顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求6所示的發光二極管。

8.發光二極管外延片的生長方法，包括提供一襯底，在所述襯底的水平表面上依次第一型導電層、有源層和第二型導電層，其特征在于，所述有源層的生長包括如下步驟：

步驟S1、設置反應室內的溫度，且在氫氣作為載氣的生長氛圍下，生長量子壘層；

步驟S2、降低所述溫度，且在氫氣和氮氣作為載氣的生長氛圍下，預通Te元素；

步驟S3、持續降低所述溫度，并通入Ⅲ族元素后，再通入Ⅴ族元素生長氮化物材料，形成一層界面調節層；

步驟S4、當所述溫度達到量子阱層的生長溫度后，停止生長界面調節層，且關閉氫氣，使反應室采用氮氣作為載氣的生長氛圍；

步驟S5、保持步驟S4所述的溫度，生長量子阱層；

步驟S6、提高所述溫度，且在氫氣和氮氣作為載氣的生長氛圍下，預通Te元素；

步驟S7、持續提高所述溫度，并通入Ⅲ族元素后，再通入Ⅴ族元素生長氮化物材料，形成另一層界面調節層；

步驟S8、當所述溫度達到量子壘層的生長溫度后，停止生長界面調節層，且關閉氮氣，使反應室采用氫氣作為載氣的生長氛圍；

步驟S9、重復執行步驟S1至S8的生長步驟n個周期。

9.根據權利要求8所述的發光二極管外延片的生長方法，其特征在于，所述步驟S3的持續降低所述溫度包括線性降低溫度。

10.根據權利要求8所述的發光二極管外延片的生長方法，其特征在于，所述步驟S7的持續提高所述溫度包括線性提高溫度。