[發(fā)明專利]一種基于NSGA-Ⅱ算法的Swiss整流器多目標(biāo)優(yōu)化設(shè)計(jì)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910729666.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110633494B | 公開(公告)日: | 2022-08-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 顏景斌;沈云森 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G06F30/373 | 分類號(hào): | G06F30/373;G06F30/27;G06N3/00 |
| 代理公司: | 哈爾濱市陽(yáng)光惠遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 23211 | 代理人: | 安琪 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 nsga 算法 swiss 整流器 多目標(biāo) 優(yōu)化 設(shè)計(jì) 方法 | ||
1.一種基于NSGA-Ⅱ算法的Swiss整流器多目標(biāo)優(yōu)化設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述優(yōu)化設(shè)計(jì)方法包括:
步驟1、將Swiss整流器基本拓?fù)潆娐分械闹绷麟姼蠰、輸出電容C、開關(guān)管IGBT和二極管Diode作為影響整流器性能指標(biāo)的優(yōu)化變量,并對(duì)所述直流電感L、輸出電容C、開關(guān)管IGBT和二極管Diode進(jìn)行功率和體積建模;
步驟2、定義目標(biāo)函數(shù):以Swiss整流器的效率和功率密度為目標(biāo)函數(shù),衡量Swiss整流器的性能指標(biāo);
步驟3、初始化種群:將種群大小設(shè)置為N,最大進(jìn)化代數(shù)設(shè)置為gen,決策變量的數(shù)量設(shè)置為V;然后,對(duì)決策變量進(jìn)行實(shí)數(shù)編碼,以建立的元器件數(shù)據(jù)庫(kù)為約束條件,輸入各參數(shù)變量的上下限;隨機(jī)生成N維決策矩陣,將所述決策矩陣的第V+1列和第V+2列作為目標(biāo)函數(shù)數(shù)值,最后兩列為非支配層數(shù)和擁擠度距離,一個(gè)參數(shù)向量則對(duì)應(yīng)一個(gè)個(gè)體或稱為染色體;
步驟4、選擇:設(shè)定兩個(gè)參數(shù)ni和Si,ni為種群中所有個(gè)體支配個(gè)體i的數(shù)目,Si為個(gè)體i所支配的個(gè)體集合,采用快速非支配排序判斷所述矩陣的解的好壞和排序操作;
步驟5,二元錦標(biāo)賽選擇:設(shè)置錦標(biāo)賽大小為2,匹配池大小為N/2;在初始種群中,隨機(jī)選擇兩個(gè)個(gè)體,比較兩個(gè)個(gè)體的非支配等級(jí),等級(jí)低者放入匹配池中;若等級(jí)相同,則比較擁擠度距離,距離大者者保留;若非支配等級(jí)和擁擠度距離均相同,則隨機(jī)選取一個(gè)個(gè)體保留,重復(fù)本步驟操作,至匹配池中個(gè)體為N/2;
步驟6,交叉:首先在當(dāng)代種群中隨機(jī)選擇兩個(gè)個(gè)體,作為交叉操作的父代個(gè)體,對(duì)匹配染色體上的基因進(jìn)行交叉操作,產(chǎn)生一對(duì)新的染色體,重復(fù)交叉操作,形成新一代種群;
其中,所述當(dāng)代種群為父代種群;
步驟7,變異:定義一個(gè)變異算子,對(duì)個(gè)體的基因進(jìn)行小概率的替換,并將變異算子作用于種群,使種群中部分個(gè)體的基因改變,產(chǎn)生新的等位基因,將此時(shí)的種群記為子代種群;
步驟8,將步驟6中的父代種群跟步驟7獲得的子代種群進(jìn)行合并,合并后的種群記為第一代種群gen=1,種群大小為N;
步驟9,將步驟8獲得的第一代種群作為父代種群,然后將此父代種群進(jìn)行交叉變異獲得子代種群,然后將本步驟中的父代種群和子代種群進(jìn)行合并,形成種群,此時(shí)種群大小為2N;
步驟10、利用步驟4的操作過(guò)程對(duì)步驟9形成的種群進(jìn)行處理,選擇N個(gè)個(gè)體為新的父代種群,再經(jīng)步驟6和步驟7,產(chǎn)生新的子代種群Pt+1;重復(fù)步驟9,至達(dá)到最大進(jìn)化代數(shù)gen;
步驟11,輸出Pareto最優(yōu)解前沿和參數(shù)矩陣,根據(jù)所選擇的目標(biāo)性能指標(biāo),得到對(duì)應(yīng)的各決策變量數(shù)值,即是優(yōu)化問(wèn)題的解,根據(jù)各個(gè)參數(shù)進(jìn)行元器件的選擇和設(shè)置;
步驟1所述功率和體積建模的過(guò)程包括:
計(jì)算電感的功率,所述電感的功率PL為:
其中,uL為電感的輸入電壓,Irms為流經(jīng)電感的電流有效值,fsw為開關(guān)頻率,VL為電感體積;計(jì)算電感的線圈體積;所述線圈體積Vcl為:
其中,ωw為繞組寬度,dw為繞組深度;
計(jì)算導(dǎo)體體積Vcd為:Vcd=kpfVcl,其中,kpf為線圈的填充系數(shù),N為線圈匝數(shù),為導(dǎo)體截面積,
計(jì)算磁芯體積為:則電感體積VL為:其中,l表示磁芯長(zhǎng)度;
計(jì)算開關(guān)管IGBT的通態(tài)損耗為:
其中,VGE為IGBT的門檻電壓,IIGBT為流經(jīng)IGBT的電流幅值,rCE為通態(tài)等效電阻,M為調(diào)制比,表示為電壓電流相位角;
IGBT的開關(guān)損耗為:
其中,Esw(on)和Esw(off)分別為IGBT開通一次和關(guān)斷一次損失的能量,IN為整流器額定工作電流,uCEN為額定工作電壓,upn為整流器輸出電壓;
計(jì)算IGBT總損耗為:PIGBT=Pcond,IGBT+Psw,IGBT;
二極管的導(dǎo)通損耗為:
Pon,Diode=VFIFD
其中,VF為二極管的正向?qū)▔航担琁F為正向通態(tài)電流,D為占空比,不同二極管的占空比根據(jù)4種導(dǎo)通電路狀態(tài)求取;
二極管的斷態(tài)損耗為:
Poff,Diode=VRIR(1-D)
其中,VR為其反向壓降,IR為二極管反向漏電流;
二極管的開關(guān)損耗為:
其中,Vfp和Vrp分別為二極管的正向和反向峰值電壓,Ifp和Irp分別為流經(jīng)二極管的正向和反向峰值電流,tfp為其正向恢復(fù)時(shí)間,tb為其反向電流下降時(shí)間;
則二極管總損耗為:PDiode=Pon,Diode+Poff,Diode+Psw,Diode;
步驟2所述定義目標(biāo)函數(shù)的具體過(guò)程包括:
定義目標(biāo)函數(shù),以Swiss整流器的效率和功率密度為目標(biāo)函數(shù),效率η為:
其中,P0為輸出功率,PL為電感損耗,功率密度ρ為:
其中,P0為輸出功率,Ploss為總損耗,PIGBT為IGBT總損耗,PDiode為Diode總損耗;V總為元器件總體積,VL為電感體積,VIGBT為IGBT體積,VDiode為二極管體積,VC為輸出電容體積,所述功率密度ρ即為目標(biāo)函數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述優(yōu)化設(shè)計(jì)方法,其特征在于,步驟四所述判斷解的好壞和排序的具體過(guò)程包括:
第1步、選出種群中ni為0的個(gè)體,即非支配的最優(yōu)個(gè)體,并放入集合F1中;
第2步、對(duì)集合F1中的每個(gè)個(gè)體i,分別找出i所對(duì)應(yīng)的支配個(gè)體集合Si,對(duì)Si中的個(gè)體j,對(duì)種群中所有個(gè)體支配個(gè)體j的數(shù)目nj進(jìn)行減一操作,即nj=nj-1,排除個(gè)體i支配j的影響,若nj為0,則將個(gè)體j放入集合F2中;
則集合F1為第一層非支配集合,對(duì)于F1中所有個(gè)體的非支配層數(shù)記為Rank1,F(xiàn)2中個(gè)體記為Rank2;
第3步、重復(fù)第1步和第2步的操作,對(duì)種群中所有個(gè)體進(jìn)行非支配排序,非支配層數(shù)由低到高,Rank值越小的個(gè)體越好;
在NSGA-Ⅱ算法的迭代過(guò)程中種群大小始終為N,故在選擇操作中需對(duì)同一Rank層中的個(gè)體進(jìn)行取舍,定義擁擠度距離C,即為相鄰兩個(gè)個(gè)體在每個(gè)子目標(biāo)函數(shù)上的距離差之和,且有,Ck=(fk+1,1-fk-1,1)+(fk-1,2-fk+1,2),其中,k為解集前沿中的任意一點(diǎn),fk+1,1、fk-1,1、fk-1,2和fk+1,2分別表示為(k+1,1)、(k-1,1)、(k-1,2)和(k+1,2)對(duì)應(yīng)的目標(biāo)函數(shù);
擁擠度距離大的個(gè)體優(yōu)于擁擠度距離小的個(gè)體,非支配層數(shù)和擁擠度距離作為決策向量的最后兩個(gè)元素,并通過(guò)非支配層數(shù)和擁擠度距離判斷解的好壞和排序操作。
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