[發(fā)明專(zhuān)利]磁性裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910728218.1
• 申請(qǐng)日: 2019-08-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111725388A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 渡邉大輔;永瀨俊彥;上田公二;李永珉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L43/08
• 分類(lèi)號(hào): H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;G11C11/16
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種磁性裝置，具備磁阻效應(yīng)元件，

所述磁阻效應(yīng)元件包含：

第1非磁性體；

第2非磁性體；

所述第1非磁性體及所述第2非磁性體之間的第1強(qiáng)磁性體；

第3非磁性體，位于相對(duì)于所述第2非磁性體來(lái)說(shuō)與所述第1強(qiáng)磁性體相反的一側(cè)，且含有稀土類(lèi)氧化物；以及

第4非磁性體，位于所述第2非磁性體與所述第3非磁性體之間且含有金屬。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性裝置，其中

所述第4非磁性體含有選自鉭(Ta)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鈦(Ti)、釩(V)、及鈮(Nb)中的至少一種元素。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁性裝置，其中

所述第4非磁性體還含有硼(B)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性裝置，其中

所述第4非磁性體的膜厚為2納米以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性裝置，其中

所述第4非磁性體的電阻值為所述第1非磁性體的電阻值的10％以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性裝置，其中

所述第1非磁性體及所述第2非磁性體含有氧化鎂(MgO)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁性裝置，其中

所述第2非磁性體還含有硼(B)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁性裝置，其中

所述第2非磁性體的膜厚薄于所述第1非磁性體的膜厚。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁性裝置，其中

所述第2非磁性體的膜厚為1納米以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性裝置，其中

所述第3非磁性體含有選自鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、及镥(Lu)中的至少一種元素。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性裝置，其中

所述第1強(qiáng)磁性體含有選自鐵(Fe)、鈷(Co)、及鎳(Ni)中的至少一種元素。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁性裝置，其中

所述磁阻效應(yīng)元件還包含位于相對(duì)于所述第1非磁性體來(lái)說(shuō)與所述第1強(qiáng)磁性體相反的一側(cè)的第2強(qiáng)磁性體，

所述第1強(qiáng)磁性體

根據(jù)從所述第1強(qiáng)磁性體流向所述第2強(qiáng)磁性體的第1電流變?yōu)榈?電阻值，根據(jù)從所述第2強(qiáng)磁性體流向所述第1強(qiáng)磁性體的第2電流變?yōu)榈?電阻值。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁性裝置，其中

所述第2強(qiáng)磁性體含有選自鐵(Fe)、鈷(Co)、及鎳(Ni)中的至少一種元素。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁性裝置，其中

所述第1電阻值小于所述第2電阻值。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁性裝置，其中

所述第1強(qiáng)磁性體設(shè)置在所述第2強(qiáng)磁性體的上方。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁性裝置，其中

所述第2非磁性體設(shè)置在所述第4非磁性體的下方。

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁性裝置，其中

所述磁性裝置具備存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包含：

所述磁阻效應(yīng)元件；以及

開(kāi)關(guān)元件，與所述磁阻效應(yīng)元件串聯(lián)連接。