[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及包括該發(fā)光二極管的電致發(fā)光顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910726956.2
• 申請(qǐng)日: 2019-08-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110828677B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 琴臺(tái)一;俞臺(tái)善;金信韓;金池泳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂(lè)金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 李琳;陳英俊

1.一種發(fā)光二極管，包括：

彼此面對(duì)的第一電極和第二電極；

所述第一電極與所述第二電極之間的第一電荷產(chǎn)生層；

第一發(fā)光疊層，所述第一發(fā)光疊層包括所述第一電極與所述第一電荷產(chǎn)生層之間的第一發(fā)光材料層以及所述第一發(fā)光材料層與所述第一電荷產(chǎn)生層之間的第一電子傳輸層；以及

第二發(fā)光疊層，所述第二發(fā)光疊層包括所述第一電荷產(chǎn)生層與所述第二電極之間的第二發(fā)光材料層以及所述第二發(fā)光材料層與所述第二電極之間的第二電子傳輸層，

其中，所述第一電荷產(chǎn)生層由第一N型電荷產(chǎn)生層和第一P型電荷產(chǎn)生層構(gòu)成，

其中，所述第一N型電荷產(chǎn)生層的電子遷移率大于所述第一電子傳輸層的電子遷移率，

其中，所述第一電子傳輸層包含具有嘧啶核的材料，所述第一N型電荷產(chǎn)生層包含具有菲咯啉核的材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述第一N型電荷產(chǎn)生層的所述電子遷移率在5×10^-5cm²/Vs～1×10^-4cm²/Vs的范圍內(nèi)，并且所述第一電子傳輸層的所述電子遷移率在1×10^-6cm²/Vs～1×10^-5cm²/Vs的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述第一電子傳輸層的厚度小于所述第二電子傳輸層的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其中，所述第一電子傳輸層的所述厚度在至的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述第一電子傳輸層的厚度小于所述第一N型電荷產(chǎn)生層的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述第一電子傳輸層的所述材料由式1表示，并且所述第一N型電荷產(chǎn)生層的所述材料由式3表示：

[式1]

[式3]

其中，R是C6至C30芳基，L是C6至C30亞芳基。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其中，所述第一電子傳輸層的所述材料為式2表示，并且所述第一N型電荷產(chǎn)生層的所述材料為式4的材料：

[式2]

[式4]

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，還包括：

第二電荷產(chǎn)生層，所述第二電荷產(chǎn)生層在所述第一電荷產(chǎn)生層與所述第二發(fā)光疊層之間；以及

第三發(fā)光疊層，所述第三發(fā)光疊層在所述第一電荷產(chǎn)生層與所述第二電荷產(chǎn)生層之間，并且包括第三發(fā)光材料層和在所述第三發(fā)光材料層與所述第二電荷產(chǎn)生層之間的第三電子傳輸層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其中，所述第一電子傳輸層的厚度小于所述第三電子傳輸層的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其中，所述第二電荷產(chǎn)生層由第二N型電荷產(chǎn)生層和第二P型電荷產(chǎn)生層構(gòu)成，所述第一電子傳輸層的厚度小于所述第二N型電荷產(chǎn)生層的厚度。