[發(fā)明專利]提升量子點發(fā)光二極管的正老化效應和穩(wěn)定性的方法和結構

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910725953.7
• 申請日: 2014-12-10
• 公開（公告）號: CN110611038A
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發(fā)明（設計）人: 楊藝興;亞歷山大·蒂托夫;杰克·伊沃寧;鄭英;錢磊;保羅·H·霍洛韋
• 申請（專利權）人: 內(nèi)諾光學有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/50;H05B33/04
• 代理公司: 11413 北京柏杉松知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 謝攀;劉繼富

1.一種用于制造高效且穩(wěn)定的QD-LED的方法，包括下列步驟：

將活性試劑摻入封裝樹脂中；以及

將QD-LED堆疊層封裝在所述封裝樹脂中，

其中，所述QD-LED顯示出正老化效應。

2.一種用于制造高效且穩(wěn)定的QD-LED的方法，包括下列步驟：

將活性試劑摻入QD-LED堆疊層中；以及

將所述QD-LED堆疊層封裝在封裝樹脂中，

其中，所述QD-LED顯示出正老化效應。

3.一種QD-LED，其通過下列步驟形成：

將活性試劑摻入QD-LED堆疊層中；以及

將所述QD-LED堆疊層封裝在封裝樹脂中，

其中，所述QD-LED顯示出正老化效應。

4.一種QD-LED，包括：

QD-LED堆疊層，所述QD-LED堆疊層擴散有活性試劑；以及

封裝所述QD-LED堆疊層的封裝層，所述封裝層包括封裝樹脂，

其中，所述QD-LED顯示出正老化效應。

5.一種形成QD-LED的方法，包括：

將QD-LED堆疊層封裝在封裝樹脂中，其中，所述QD-LED顯示出正老化效應。

6.一種形成QD-LED的方法，包括：

形成QD-LED堆疊層，其中，所述QD-LED顯示出正老化效應。

7.一種QD-LED，包括：

QD-LED堆疊層，其中，所述QD-LED顯示出正老化效應。

8.根據(jù)任一前述權項所述的方法或QD-LED，其中，所述正老化效應包括所述QD-LED的電流效率隨時間的改善。

9.根據(jù)權利要求1-7中任一項所述的方法或QD-LED，其中，所述正老化效應包括所述QD-LED的功率效率隨時間的改善。

10.根據(jù)權利要求1-7中任一項所述的方法或QD-LED，其中，所述正老化效應包括所述QD-LED的外量子效率隨時間的改善。