[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 201910725334.8 | 申請日: | 2019-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN111244130A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發明(設計)人: | 金英美;姜妍淑 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;G02B27/01 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;陳煒 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
公開了一種顯示裝置,其能夠降低功耗。該顯示裝置包括:基板,其包括第一子像素和第二子像素;第一電極,其在第一子像素和第二子像素中的每一個中被圖案化在基板上;第一發射層,其在第一子像素和第二子像素中的每一個中被設置在第一電極上,并且被配置成發射第一顏色光;第二電極,其在第一子像素和第二子像素中的每一個中被設置在第一發射層上;第二發射層,其被設置在第二電極上,并且被配置成發射第二顏色光;以及第三電極,其被設置在第二發射層上,其中,第一子像素的第一電極相對大于第二子像素的第一電極,并且第一子像素的第一電極與第一子像素的第二電極電連接,并且第二子像素的第一電極與第二子像素的第二電極絕緣。
技術領域
本公開內容涉及被配置成顯示圖像的顯示裝置。
背景技術
隨著信息化社會的發展,對顯示圖像的顯示裝置在多種多樣的類型上的需求不斷增加。近來,已經使用了各種顯示裝置,諸如液晶顯示器(LCD)、等離子顯示面板(PDP)和有機發光顯示器(OLED)。
近來,已經開發了包括以上顯示裝置的頭戴式顯示(HMD)裝置。作為眼鏡或頭盔的一部分佩戴的頭戴式顯示(HMD)裝置是虛擬現實(VR)或增強現實(AR)的眼鏡型監視器裝置,其中,焦點在用戶眼睛前方的短距離內形成。
在頭戴式顯示(HMD)裝置的情況下,由于子像素中的每個子像素之間的緊湊間隔以實現高分辨率,難以針對每個單獨的子像素精確地圖案化不同顏色的發射層。為了克服這個問題,頭戴式顯示(HMD)裝置設置有白色發射層,該白色發射層包括被配置成發射不同顏色的光的多個堆疊,其中,白色發射層用作公共層,并且頭戴式顯示(HMD)裝置還設置有針對每個單獨的子像素設置的濾色器,從而實現不同顏色的光。在這種情況下,頭戴式顯示(HMD)裝置的優點在于它不需要制造精確掩模的工藝和掩模對準工藝。然而,在頭戴式顯示(HMD)裝置的情況下,其存在與由于多個堆疊而導致的功耗增加相關的問題。
發明內容
鑒于以上問題做出了本公開內容,并且本公開內容的目的是提供一種能夠降低功耗的顯示裝置。
根據本公開內容的一方面,以上和其他目的可以通過提供下述顯示裝置來實現,該顯示裝置包括:基板,其包括第一子像素和第二子像素;第一電極,其在第一子像素和第二子像素中的每一個中被圖案化在基板上;第一發射層,其在第一子像素和第二子像素中的每一個中被設置在第一電極上,并且被配置成發射第一顏色光;第二電極,其在第一子像素和第二子像素中的每一個中被設置在第一發射層上;第二發射層,其被設置在第二電極上,并且被配置成發射第二顏色光;以及第三電極,其被設置在第二發射層上,其中,第一子像素的第一電極相對大于第二子像素的第一電極,并且第一子像素的第一電極與第一子像素的第二電極電連接,并且第二子像素的第一電極與第二子像素的第二電極絕緣。
根據本公開內容的另一方面,提供了一種顯示裝置,該顯示裝置包括:基板,其包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;第一電極,其在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一個中被圖案化在基板上;第一發射層,其被設置在第一電極上并且被配置成發射第一顏色光;第二電極,其被設置在第一發射層上;第二發射層,其被設置在第二電極上并且被配置成發射第二顏色光;以及第三電極,其被設置在第二發射層上,其中,向第一子像素和第三子像素中的每一個中的第一電極和第二電極施加相同的電壓,并且向第二子像素中的第二電極和第三電極施加相同的電壓。
根據本公開內容,在不使用掩模的情況下在子像素中形成第一發射層和第二發射層,由此可以防止在通過使用掩模針對單獨的子像素對不同的發射層進行圖案化時引起的問題。也就是說,根據本公開內容,它不需要制造精確掩模的工藝和精確的掩模對準工藝。因此,本公開內容甚至可以應用于具有緊湊像素間隔的高分辨率顯示裝置。
此外,根據本公開內容,即使在所有子像素中形成第一發射層和第二發射層,也可以在每個子像素中操作第一發射層和第二發射層中的任何一個。因此,根據本公開內容的顯示裝置能夠顯著降低功耗。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





