[發(fā)明專利]核安全級優(yōu)選模塊現(xiàn)場驅(qū)動輸出回路診斷系統(tǒng)及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910724277.1 | 申請日： | 2019-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN110347143B | 公開（公告）日： | 2020-10-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉明星;馬權(quán);劉濱;吳志強(qiáng);秦官學(xué);梁建;王遠(yuǎn)兵 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國核動力研究設(shè)計(jì)院 |
| 主分類號： | G05B23/02 | 分類號： | G05B23/02 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 林菲菲 |
| 地址： | 610000 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 安全 優(yōu)選 模塊 現(xiàn)場 驅(qū)動 輸出 回路 診斷 系統(tǒng) 方法 | ||
1.核安全級優(yōu)選模塊現(xiàn)場驅(qū)動輸出回路診斷系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)包括優(yōu)選邏輯控制器、驅(qū)動輸出觸點(diǎn)和診斷電路，通過該診斷電路實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場驅(qū)動回路的診斷；所述診斷電路包括兩個(gè)二極管、兩個(gè)限流電阻、MOSFET繼電器U1和MOSFET繼電器U2；
優(yōu)選邏輯控制器的IO1口給三極管基極注入電流，該注入電流被三極管飽和放大之后，會在其集電極到發(fā)射極之間產(chǎn)生一個(gè)放大之后的電流，該放大之后的電流導(dǎo)致繼電器線圈產(chǎn)生磁場，從而能對驅(qū)動輸出觸點(diǎn)的狀態(tài)進(jìn)行控制；
所述驅(qū)動輸出觸點(diǎn)與兩個(gè)二極管、現(xiàn)場設(shè)備及其供電電源依次連接形成一條回路；
所述驅(qū)動輸出觸點(diǎn)與兩個(gè)二極管、MOSFET繼電器U2的發(fā)光二極管以及一個(gè)限流電阻依次連接形成一條回路；所述MOSFET繼電器U2的三極管的集電極連接電源VCC，發(fā)射極通過電阻接地；所述MOSFET繼電器U2的發(fā)射極與優(yōu)選邏輯控制器的IO3口連接；
所述兩個(gè)二極管還與MOSFET繼電器U1的發(fā)光二極管以及另一個(gè)限流電阻依次連接形成一條回路；所述MOSFET繼電器U1的三極管的集電極連接電源VCC，發(fā)射極通過電阻接地；所述MOSFET繼電器U1的三極管的發(fā)射極與優(yōu)選邏輯控制器的IO2口連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核安全級優(yōu)選模塊現(xiàn)場驅(qū)動輸出回路診斷系統(tǒng)，其特征在于，所述MOSFET繼電器的觸發(fā)電流值低于現(xiàn)場設(shè)備最低電流值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的核安全級優(yōu)選模塊現(xiàn)場驅(qū)動輸出回路診斷系統(tǒng)，其特征在于，所述MOSFET繼電器采用OMRON繼電器G3VM-201G2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的核安全級優(yōu)選模塊現(xiàn)場驅(qū)動輸出回路診斷系統(tǒng)，其特征在于，所述優(yōu)選邏輯控制器用于控制輸出觸點(diǎn)的狀態(tài)控制以及對兩個(gè)MOSFET繼電器開關(guān)狀態(tài)的診斷，并根據(jù)兩個(gè)MOSFET繼電器開關(guān)狀態(tài)結(jié)合驅(qū)動輸出狀態(tài)判斷現(xiàn)場驅(qū)動輸出回路是否故障。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的核安全級優(yōu)選模塊現(xiàn)場驅(qū)動輸出回路診斷系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)采用三極管共射極連接方式，通過所述優(yōu)選邏輯控制器給三極管基極注入電流，該注入電流被三極管飽和放大之后，會在其集電極到發(fā)射極之間產(chǎn)生一個(gè)放大之后的電流，該電流導(dǎo)致繼電器線圈產(chǎn)生磁場，從而能對驅(qū)動觸點(diǎn)的狀態(tài)進(jìn)行控制。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的核安全級優(yōu)選模塊現(xiàn)場驅(qū)動輸出回路診斷系統(tǒng)，其特征在于，所述優(yōu)選邏輯控制器由CPLD、FPGA、ARM或者單片機(jī)實(shí)現(xiàn)。
7.核安全級優(yōu)選模塊現(xiàn)場驅(qū)動輸出回路診斷方法，其特征在于，該方法采用上述權(quán)利要求2-6任一項(xiàng)所述的診斷系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)優(yōu)選模塊現(xiàn)場驅(qū)動輸出回路診斷，包括：驅(qū)動輸出觸點(diǎn)診斷、驅(qū)動輸出線路診斷和現(xiàn)場設(shè)備電源診斷。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的核安全級優(yōu)選模塊現(xiàn)場驅(qū)動輸出回路診斷方法，其特征在于，當(dāng)驅(qū)動輸出觸點(diǎn)斷開時(shí)，限流電阻、MOSFET繼電器U2與現(xiàn)場設(shè)備形成一條回路，由現(xiàn)場設(shè)備供電電源為MOSFET繼電器U2提供觸發(fā)電流， MOSFET繼電器U2輸出狀態(tài)為高電平。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的核安全級優(yōu)選模塊現(xiàn)場驅(qū)動輸出回路診斷方法，其特征在于，當(dāng)驅(qū)動輸出觸點(diǎn)閉合時(shí)，兩個(gè)串聯(lián)二極管作為限流電阻和MOSFET繼電器U1的穩(wěn)壓源，MOSFET繼電器U1輸出狀態(tài)為高電平。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的核安全級優(yōu)選模塊現(xiàn)場驅(qū)動輸出回路診斷方法，其特征在于，所述兩個(gè)串聯(lián)二極管的壓降為1.2—2.1V，所述MOSFET繼電器限流0.5mA。
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