[發明專利]一種以柯恩達效應為原理的GaN防氣體沖擊裝置

有效

• 申請號: 201910723308.1
• 申請日: 2019-08-06
• 公開（公告）號: CN110351953B
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 趙真利
• 申請（專利權）人: 樂清旭耀科技有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00;H05K3/22
• 代理公司: 佛山市智匯聚晨專利代理有限公司 44409
• 代理人: 曹麗敏

一種以柯恩達效應為原理的GaN防氣體沖擊裝置，包括固定板，所述固定板的上表面固定安裝有兩個相對稱的固定架，兩個相對稱的固定架之間活動安裝有轉筒，轉筒的外表面開設有風槽，所述轉筒的兩端均固定安裝有卡塊。通過轉筒、風槽、卡塊、連接塊與轉軸的配合使用，可以有效的將激光在剝離GaN的過程中，利用柯恩達效應原理，將氣流都分散到轉筒的表面，保證了激光剝離工藝過程中產生的氣體不會直接沖擊GaN薄膜，對GaN薄膜具有一定的保護作用，同時，由于氣流被分散到轉筒的外表面，可以有效的保證由激光剝離工藝過程中產生的高溫，給予降溫，保證了GaN薄膜的使用壽命。

技術領域

本發明涉及柔性電子技術領域，具體為一種以柯恩達效應為原理的GaN防氣體沖擊裝置。

背景技術

激光剝離工藝氮化鎵(GaN)是利用一束波長小于360nm的激光，是利用一束波長小于360nm的激光，從Al₂O₃襯底上沒有外延上GaN薄膜一側入射，由于激光光子能量介于GaN和Al₂O₃禁帶寬度之間，因為Al₂O₃襯底對激光吸收系數很小，激光可以穿過Al₂O₃襯底而沒有太多能量的損失就能照射到GaN層，因為GaN材料對激光的吸收系數很大，當激光穿過Al₂O₃襯底入射到Al₂O₃襯底對激光吸收系數很小，激光可以穿過Al₂O₃襯底而沒有太多能量的損失就能照射到GaN層，因為GaN材料對激光的吸收系數很大，當激光穿過Al₂O₃襯底入射到Al₂O₃襯底和GaN的界面時，界面處一層厚度很薄的GaN材料會對激光有一個極強的吸收，將吸收的激光能量轉換成GaN材料的熱能，使得其溫度急速升高，迅速分解為Ga金屬和N2，從而實現GaN薄膜與Al2O3襯底的分離，從而制備出垂直結構的GaN薄膜。

目前，激光剝離工藝氮化鎵的方法有兩種，分為化學剝離與物理剝離，化學剝離則是Al₂O₃襯底上外延GaN之前先外延生長上一層犧牲層，然后再繼續外延GaN-LED器件結構，利用犧牲層可以和化學藥品反應的特點，使用化學腐蝕的方式將犧牲層腐蝕干凈，則可以實現GaN薄膜和外延Al₂O₃襯底的分離，但是這種方式，雖然分離的相對較為干凈，但是剝離效率不要高，且需要與犧牲層反應，比較浪費，剝離的成本較高，相比與化學剝離，激光剝離工藝是一種物理剝離的方式，并且具有剝離速度離速度快，剝離效率高，剝離成本低，并且不受化學藥品濃度影響等優點，但是激光剝離工藝過程中產生的氣體沖擊以及高溫沖擊則可能對GaN薄膜造成一定的損傷，也存在著比較浪費的現象。

發明內容

(一)技術方案

為實現上述使用物理剝離時，可保護柔性電路板不受損傷的目的，本發明提供如下技術方案：一種以柯恩達效應為原理的GaN防氣體沖擊裝置，包括固定板，所述固定板的上表面固定安裝有兩個相對稱的固定架，兩個相對稱的固定架之間活動安裝有轉筒，轉筒的外表面開設有風槽，所述轉筒的兩端均固定安裝有卡塊。

所述轉筒的內部通過連接塊固定安裝有轉軸，轉軸兩端的內部活動安裝有固定桿，固定桿的上端固定安裝有連接板，連接板的中部活動安裝有轉盤，轉盤的中心軸固定安裝有轉桿，轉桿的下端搭接有活動框，活動框的兩側固定安裝有兩個相對稱的移動條，所述移動條遠離活動框的一端搭接有兩個相對稱的限位柱，限位柱的上端固定與連接板的上表面固定安裝。

所述移動條的下表面固定安裝有連接桿，連接桿的下端螺紋連接有激光器。

進一步的，兩個相對稱的所述固定架之間通過轉軸與轉筒活動安裝，固定架靠近轉筒的一端插接在轉軸內，主要是為了方便轉筒在受到氣體沖擊的轉動。