[發明專利]一種外延生長基座有效
| 申請號： | 201910718301.0 | 申請日： | 2019-08-05 |
| 公開（公告）號： | CN110429050B | 公開（公告）日： | 2022-02-08 |
| 發明（設計）人： | 俎世琦;方圭哲;金柱炫;王力 | 申請（專利權）人： | 西安奕斯偉材料科技有限公司;西安奕斯偉硅片技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;胡影 |
| 地址： | 710000 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 外延 生長 基座 | ||
1.一種外延生長基座，其特征在于，包括：
底座，所述底座的外緣周向間隔設有若干貫穿所述底座的氣體通道；
環形承載臺，用于承載晶圓，所述環形承載臺圍設于所述底座外，所述環形承載臺的上表面的高度高于所述底座的上表面的高度；
所述氣體通道包括：
至少一個分支點；
多條分通道，其中，每一分支點連接至少兩條分通道，通過一分支點連通的兩條分通道之間具有彎折角，形成彎曲的分通道，避免光源對晶圓背面直接照射。
2.根據權利要求1所述的一種外延生長基座，其特征在于，至少一條所述分通道的開口設于所述底座的上表面、至少一條所述分通道的開口設于所述底座的下表面。
3.根據權利要求2所述的一種外延生長基座，其特征在于，所述分支點的數量為一個，所述分通道的數量為三條，其中一條所述分通道的開口設于所述底座的上表面，另外兩條所述分通道的開口設于所述底座的下表面，或，其中一條所述分通道開口設于所述底座的下表面，另外兩條所述分通道的開口設于所述底座的上表面。
4.根據權利要求2所述的一種外延生長基座，其特征在于，所述分支點的數量為一個，所述分通道的數量為四條，其中一條所述分通道的開口設于所述底座的上表面，另外三條所述分通道的開口設于所述底座的下表面，或，其中一條所述分通道的開口設于所述底座的下表面，另外三條所述分通道的開口設于所述底座的上表面。
5.根據權利要求1所述的一種外延生長基座，其特征在于，還包括：
若干支撐孔，所述若干支撐孔周向間隔設于所述底座外緣并貫穿所述底座。
6.根據權利要求1所述的一種外延生長基座，其特征在于，所述底座的上表面呈曲面。
7.根據權利要求1所述的一種外延生長基座，其特征在于，還包括：
環形凸臺，所述環形凸臺圍設于所述環形承載 臺的外緣。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
