[發明專利]一種氧化物薄膜晶體管的制備方法及陣列基板

在審

• 申請號: 201910717701.X
• 申請日: 2019-08-05
• 公開（公告）號: CN110444602A
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 謝華飛;陳書志
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/02
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

一種氧化物薄膜晶體管的制備方法及陣列基板，該方法包括如下步驟：S1，提供一基板；S2，在所述基板上沉積遮光層；S3，在所述遮光層上沉積緩沖層；S4，在所述緩沖層上形成薄膜晶體管；其中，所形成的金屬氧化物層的厚度為3000埃以上，且需要在300?800攝氏度的空氣中退火0.5?2小時，得到結晶化的金屬氧化物，其中，所述有源層溝道的厚度為300埃?1000埃；有益效果：與現有技術相比，本申請提供的一種氧化物薄膜晶體管的制備方法，通過控制金屬氧化物層的沉積時間，以控制金屬氧化物膜層的厚度，再將金屬氧化物在高溫環境下進行退火處理，得到遷移率和穩定性更高的結晶化金屬氧化物半導體層，提升了薄膜晶體管、陣列基板的遷移率以及對水氧的穩定性。

技術領域

本發明涉及顯示領域，特別是涉及一種氧化物薄膜晶體管的制備方法及陣列基板。

背景技術

金屬氧化物薄膜晶體管(Metal oxide thin film transistor,MO TFT)尤其是銦鎵鋅氧化物(IGZO)薄膜晶體管，由于具有良好的均一性、高遷移率、低漏電流、適合大面積工業制備等優點，廣泛的應用到了平板顯示行業中。但在現有的電子行業中，電子產品的長壽命要求薄膜晶體管對水氧的穩定性還有待提升，因此金屬氧化物薄膜晶體管的性能需要更高。

因此，現有的金屬氧化物薄膜晶體管技術，還存在著金屬氧化物的遷移率、對外界水氧的穩定性不夠以及與現有工藝設備的兼容性不夠的問題，急需改進。

發明內容

本發明涉及一種氧化物薄膜晶體管的制備方法及陣列基板，用于提高現有技術中存在的金屬氧化物的遷移率、對外界的水氧穩定性以及與現有工藝設備兼容性的問題。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本申請提供的一種氧化物薄膜晶體管的制備方法，包括如下步驟：

S1，提供一基板；

S2，在所述基板上沉積緩沖層；

S3，在所述緩沖層上形成薄膜晶體管；

其中，所形成的金屬氧化物層的厚度為3000A以上，且需要在300-800攝氏度的空氣中退火0.5-2小時，得到結晶化的金屬氧化物層，再經過刻蝕形成具有一定預設厚度的有源層溝道。

根據本申請提供的一優選實施例，所述金屬氧化物為銦鎵鋅氧化物、氧化鋅、銦鋅氧化物或是銦錫鋅氧化物。

根據本申請提供的一優選實施例，所述氧化物薄膜晶體管為背溝道刻蝕型薄膜晶體管。

根據本申請提供的一優選實施例，所述背溝道刻蝕型薄膜晶體管的制備方法包括如下步驟：

S10，提供一基板；

S20，在所述基板上用物理氣相沉積法沉積第一層金屬膜層，并通過光刻曝光工藝使金屬層圖案化，形成柵極；

S30，在所述柵極上沉積柵極絕緣層；

S40，在柵極絕緣層上通過控制金屬氧化物的沉積時間，使得金屬氧化物的膜層厚度達到3000埃以上；

S50，將步驟“S40”得到的樣品放置在300-800攝氏度的空氣環境中，退火0.5-2小時，得到結晶化的金屬氧化物層；

S60，在所述金屬氧化物層上沉積第二金屬膜層，并通過光刻曝光工藝使其圖案化，得到源漏極層；

S70，在所述源漏極層上通過刻蝕工藝，刻蝕出具有一定預設厚度的有源層溝道；

S80，在所述有源層上沉積整面鈍化保護層；

S90，刻蝕所述鈍化保護層，形成接觸孔，以得到結晶的金屬氧化物薄膜晶體管。