[發明專利]負性光刻膠圖形化膜層的制備方法在審
| 申請號： | 201910717526.4 | 申請日： | 2019-08-05 |
| 公開（公告）號： | CN112320752A | 公開（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發明（設計）人： | 劉濤;龔艷飛;陳洋 | 申請（專利權）人： | 上海新微技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 羅泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 圖形 化膜層 制備 方法 | ||
1.一種負性光刻膠圖形化膜層的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括步驟：
1)提供一基底，在所述基底上形成負性光刻膠層，并對所述負性光刻膠層進行整面性的第一紫外光曝光以固化所述負性光刻膠層，然后烘烤去除所述負性光刻膠中的溶劑；
2)于所述負性光刻膠層表面形成正性光刻膠層，并對所述正性光刻膠層進行掩膜版曝光及顯影，以形成圖形化的正性光刻膠層；
3)采用干法刻蝕工藝將所述正性光刻膠中的圖形轉移至所述負性光刻膠層；
4)對所述正性光刻膠層進行第二紫外光曝光，并采用顯影的方式將所述正性光刻膠去除，以形成負性光刻膠圖形化膜層。
2.根據權利要求1所述的負性光刻膠圖形化膜層的制備方法，其特征在于：步驟1)所述第一紫外光曝光的能量介于1000mj～2500mj之間。
3.根據權利要求1所述的負性光刻膠圖形化膜層的制備方法，其特征在于：步驟1)中采用熱盤烘烤去除所述負性光刻膠中的溶劑，其中，采用熱盤烘烤的溫度介于120℃～220℃之間，烘烤時間介于1min～5min之間。
4.根據權利要求1所述的負性光刻膠圖形化膜層的制備方法，其特征在于：步驟1)中采用烘箱烘烤去除所述負性光刻膠中的溶劑，其中，采用烘箱烘烤的溫度介于100℃～200℃之間，烘烤時間介于15min～1h之間。
5.根據權利要求1所述的負性光刻膠圖形化膜層的制備方法，其特征在于：步驟4)所述第二紫外光曝光的能量介于1000mj～2500mj之間。
6.根據權利要求1所述的負性光刻膠圖形化膜層的制備方法，其特征在于：步驟4)采用顯影的方式將所述正性光刻膠去除所采用的顯影液包括四甲基氫氧化銨TMAH溶液。
7.根據權利要求6所述的負性光刻膠圖形化膜層的制備方法，其特征在于：所述四甲基氫氧化銨TMAH溶液的濃度介于2.2％～2.5％。
8.根據權利要求1所述的負性光刻膠圖形化膜層的制備方法，其特征在于：所述基底包括氧化硅襯底以及位于所述氧化硅襯底表面的鋁層。
9.一種如權利要求1～8任意一項所述的負性光刻膠圖形化膜層的制備方法所制備的負性光刻膠圖形化膜層。
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