[發明專利]像素陣列基板有效
| 申請號: | 201910717166.8 | 申請日: | 2019-08-05 |
| 公開(公告)號: | CN110426906B | 公開(公告)日: | 2022-03-04 |
| 發明(設計)人: | 李明賢;張哲嘉 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1343;G09F9/33;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市立康律師事務所 11805 | 代理人: | 梁揮;孟超 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 陣列 | ||
1.一種像素陣列基板,其特征在于,包括:
一基板;
一第一信號線及一第二信號線,配置于該基板上,且該第一信號線相交于該第二信號線;
一第三信號線,配置于該基板上,其中該第三信號線相交于該第一信號線,且于垂直該基板的一法線方向上,該第二信號線重疊于該第三信號線;
一第一有源元件,包括一半導體圖案、一第一柵極以及一第二柵極,其中該半導體圖案位于該第一柵極與該第二柵極之間,該第二柵極重疊于該第一柵極,且該第一柵極電性連接于該第三信號線;以及
一導電圖案,電性連接于該第一柵極與該第二柵極,其中于該法線方向上,該導電圖案、該第一柵極與該第二柵極相重疊。
2.如權利要求1所述的像素陣列基板,其特征在于,該第一有源元件更包括電性連接于該第一信號線的一第三柵極,且該半導體圖案電性連接于該第二信號線。
3.如權利要求2所述的像素陣列基板,其特征在于,該半導體圖案具有在一第一方向上延伸的一第一段以及在一第二方向上延伸的一第二段,其中于該法線方向上,該第一段重疊于該第三柵極,該第二段重疊于該第一柵極與該第二柵極。
4.如權利要求3所述的像素陣列基板,其特征在于,該半導體圖案的該第一段具有一第一通道區,且該半導體圖案的該第二段具有一第二通道區,該第一通道區在該第一方向上具有一第一長度,該第二通道區在該第二方向上具有一第二長度,且該第二長度與該第一長度的比值介于0.5至1之間。
5.如權利要求3所述的像素陣列基板,其特征在于,該第一段在垂直于該第一方向上具有一第一寬度,該第二段在垂直于該第二方向上具有一第二寬度,且該第二寬度與該第一寬度的比值介于0.5至1之間。
6.如權利要求3所述的像素陣列基板,其特征在于,該第一柵極在該第二方向上具有一第一寬度,該第二柵極在該第二方向上具有一第二寬度,且該第一寬度大于該第二寬度。
7.如權利要求1所述的像素陣列基板,其特征在于,該半導體圖案于該法線方向上重疊于該第二信號線及該第三信號線,該半導體圖案位于該第二信號線與該第三信號線之間,且電性連接于該第二信號線。
8.如權利要求1所述的像素陣列基板,其特征在于,更包括:
一第一絕緣層,配置于該第一柵極與該半導體圖案之間;以及
一第二絕緣層,配置于該第二柵極與該半導體圖案之間,其中該第一絕緣層與該第二絕緣層設有重疊于該第一柵極的一第一接觸窗。
9.如權利要求8所述的像素陣列基板,其特征在于,更包括:
一第三絕緣層,配置于該第二柵極上且覆蓋該第二柵極的部分表面,其中該第三絕緣層設有重疊于該第一柵極與該第二柵極的一第二接觸窗,且該導電圖案自該第三絕緣層延伸填入該第二接觸窗與該第一接觸窗并接觸該第一柵極與該第二柵極。
10.如權利要求9所述的像素陣列基板,其特征在于,該第一接觸窗所占區域于該基板上的垂直投影位于該第二接觸窗所占區域于該基板上的垂直投影內。
11.如權利要求9所述的像素陣列基板,其特征在于,該第二絕緣層與該第三絕緣層設有一第三接觸窗,且該第二信號線的一部分填入該第三接觸窗,以電性連接于該半導體圖案。
12.如權利要求11所述的像素陣列基板,其特征在于,該第一接觸窗所占區域于該基板上的垂直投影與該第三接觸窗所占區域于該基板上的垂直投影之間的最短距離介于2.25μm至6μm之間。
13.如權利要求1所述的像素陣列基板,其特征在于,更包括一第二有源元件,其中該第一有源元件及該第二有源元件分別位于該第二信號線的相對兩側,且該第二有源元件電性連接于該第一信號線與該第二信號線。
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