[發明專利]用于晶片處理設備的氣體分配裝置

有效

• 申請號: 201910716664.0
• 申請日: 2019-08-05
• 公開（公告）號: CN110835750B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: P·雷薩寧;W·約翰遜
• 申請（專利權）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;H01L21/67
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 丁曉峰

1.一種氣體分配裝置，所述氣體分配裝置構造成在半導體襯底上分配氣態前體，包括：

頂板，所述頂板至少具有第一氣態前體流過的第一頂部孔口；

設置在所述頂板下方的第一增壓室；

第一門控納米通道柵格；

第一電壓源，所述第一電壓源配置成將電壓施加到所述第一門控納米通道柵格；

電氣隔離板；

底板；以及

多個第一底部孔口，其中所述多個第一底部孔口形成于所述電氣隔離板和所述底板中，

其中施加到所述第一門控納米通道柵格的所述電壓確定所述第一門控納米通道柵格準許所述第一氣態前體的極性分子穿過到所述多個第一底部孔口、所述第一氣態前體的非極性分子不穿過到所述多個第一底部孔口，或者準許所述第一氣態前體的非極性分子穿過到所述多個第一底部孔口、所述第一氣態前體的極性分子不穿過到所述多個第一底部孔口。

2.根據權利要求1所述的氣體分配裝置，還包括：

第二增壓室，第二氣態前體流過所述第二增壓室；

第二門控納米通道柵格；

第二電壓源，所述第二電壓源配置成將電壓施加到所述第二門控納米通道柵格；以及

多個第二底部孔口，所述第二氣態前體流過所述多個第二底部孔口，

其中施加到所述第二門控納米通道柵格的所述電壓確定所述第二門控納米通道柵格準許所述第二氣態前體的極性分子穿過到所述多個第二底部孔口、所述第二氣態前體的非極性分子不穿過到所述多個第二底部孔口，或者準許所述第二氣態前體的非極性分子穿過到所述多個第二底部孔口、所述第二氣態前體的極性分子不穿過到所述多個第二底部孔口。

3.根據權利要求1所述的氣體分配裝置，其中所述第一門控納米通道柵格包括以下中的至少一個：介孔氧化鋁、介孔二氧化硅或碳納米管。

4.根據權利要求2所述的氣體分配裝置，其中所述第二門控納米通道柵格包括以下中的至少一個：介孔氧化鋁、介孔二氧化硅或碳納米管。

5.一種用于在半導體晶片上沉積膜的設備，包含：

反應室；

第一氣體源，所述第一氣體源構造成提供第一氣態前體；

配置成保持半導體晶片的晶片保持器；以及

氣體分配裝置，所述氣體分配裝置構造成在所述半導體晶片上分配所述第一氣態前體，所述氣體分配裝置包括：

頂板，所述頂板至少具有所述第一氣態前體流過的第一頂部孔口；

設置在所述頂板下方的第一增壓室；

第一門控納米通道柵格；

第一電壓源，所述第一電壓源配置成將電壓施加到所述第一門控納米通道柵格；

電氣隔離板；

底板；以及

多個第一底部孔口，其中所述多個第一底部孔口形成于所述電氣隔離板和所述底板中，

其中施加到所述第一門控納米通道柵格的所述電壓確定所述第一門控納米通道柵格準許所述第一氣態前體的極性分子穿過到所述多個第一底部孔口、所述第一氣態前體的非極性分子不穿過到所述多個第一底部孔口，或者準許所述第一氣態前體的非極性分子穿過到所述多個第一底部孔口、所述第一氣態前體的極性分子不穿過到所述多個第一底部孔口。

6.根據權利要求5所述的設備，其中所述氣體分配裝置還包括：

第二增壓室，第二氣態前體流過所述第二增壓室；

第二門控納米通道柵格；

第二電壓源，所述第二電壓源配置成將電壓施加到所述第二門控納米通道柵格；以及

多個第二底部孔口，所述第二氣態前體流過所述多個第二底部孔口，

其中施加到所述第二門控納米通道柵格的所述電壓確定所述第二門控納米通道柵格準許所述第二氣態前體的極性分子穿過到所述多個第二底部孔口、所述第二氣態前體的非極性分子不穿過到所述多個第二底部孔口，或者準許所述第二氣態前體的非極性分子穿過到所述多個第二底部孔口、所述第二氣態前體的極性分子不穿過到所述多個第二底部孔口。

7.根據權利要求5所述的設備，其中所述第一門控納米通道柵格包括以下中的至少一個：介孔氧化鋁、介孔二氧化硅或碳納米管。

8.根據權利要求6所述的設備，其中所述第二門控納米通道柵格包括以下中的至少一個：介孔氧化鋁、介孔二氧化硅或碳納米管。