[發明專利]發光器件、其制造方法和包括其的顯示設備

在審

• 申請號: 201910715926.1
• 申請日: 2019-08-05
• 公開（公告）號: CN110797467A
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 金泰豪;尹園植;李晶姬;張銀珠;O.曹
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 金擬粲;王華芹

1.發光器件，其包括：

彼此面對的第一電極和第二電極，

設置在所述第一電極和所述第二電極之間并且包括量子點的發射層，以及

設置在所述發射層和所述第二電極之間并且包括多個納米顆粒的電子輔助層，

其中所述多個納米顆粒的納米顆粒包括包含鋅的金屬氧化物，

其中所述第二電極具有面對所述電子輔助層的表面的第一表面以及與所述第一表面相反的第二表面，

其中所述發光器件包括設置在所述第二電極的所述第二表面的至少一部分上和所述電子輔助層的所述表面的至少一部分上的聚合物層，和

其中所述聚合物層包括包含如下的單體組合的聚合產物：具有至少一個硫醇基團的硫醇化合物、和具有至少兩個碳-碳不飽和鍵的不飽和化合物。

2.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第一電極的功函大于所述第二電極的功函。

3.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第一電極包括氧化銦錫。

4.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第二電極包括導電金屬。

5.如權利要求1所述的發光器件，其中所述量子點不包括鎘。

6.如權利要求1所述的發光器件，其中所述量子點包括銦和磷。

7.如權利要求1所述的發光器件，其中所述量子點包括硫屬元素和鋅。

8.如權利要求1所述的發光器件，其中所述量子點的最低未占分子軌道能級的絕對值小于所述金屬氧化物的最低未占分子軌道能級的絕對值。

9.如權利要求1所述的發光器件，其中所述金屬氧化物具有由化學式A表示的組成：

化學式A

Zn_1-xM_xO

其中，M為Mg、Ca、Zr、W、Li、Ti、Y、Al、或它們的組合，并且0≤x≤0.5。

10.如權利要求9所述的發光器件，其中所述金屬氧化物包括氧化鋅、氧化鋅鎂、或它們的組合。

11.如權利要求1所述的發光器件，其中所述多個納米顆粒的平均顆粒尺寸大于或等于1納米且小于或等于10納米。

12.如權利要求1所述的發光器件，其中所述多個納米顆粒的平均顆粒尺寸大于或等于1.5納米且小于或等于5納米。

13.如權利要求1所述的發光器件，其中所述聚合產物包括交聯聚合物。

14.如權利要求1所述的發光器件，其中所述聚合物層直接設置在所述第二電極的所述第二表面的所述至少一部分上和直接設置在所述電子輔助層的所述表面的所述至少一部分上。

15.如權利要求1所述的發光器件，其中所述聚合物層覆蓋所述第二電極的所述第二表面的整個區域和所述電子輔助層的暴露表面的整個區域。

16.如權利要求1所述的發光器件，其中所述不飽和化合物不包括羧酸基團。

17.如權利要求1所述的發光器件，其中所述聚合物層不包括不飽和羧酸、飽和羧酸、其聚合物、或它們的組合。

18.如權利要求17所述的發光器件，其中所述聚合物層不包括(甲基)丙烯酸、苯甲酸、3-丁烯酸、巴豆酸、丁酸、異丁酸、乙酸、丙酸、其聚合物、或它們的組合。

19.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第二電極、所述電子輔助層、以及任選地所述發射層的至少一部分通過所述聚合產物集成在一起。