[發明專利]相變隨機存取存儲器單元陣列及其寫入方法

在審

• 申請號: 201910710310.5
• 申請日: 2019-08-02
• 公開（公告）號: CN111326190A
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 阿密特·伯曼
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 田方;孔敏

1.一種存儲器系統，包括：

存儲器控制器；和

存儲器裝置，包括存儲器單元陣列，

其中，存儲器單元陣列包括多條位線和多個塊，每個塊包括多條字線，每條字線包括被分別連接到所述多條位線的多個相變隨機存取存儲器PRAM單元，

存儲器控制器被配置為緩沖第一數量的寫入請求，并被配置為執行包括復位階段和后續置位階段的寫入操作，其中，所述第一數量的寫入請求中的每個寫入請求包括寫入數據，

存儲器控制器還被配置為使得：

所述寫入操作的復位階段包括：對所述多個塊中的選擇的塊中包括的多條字線中的第一字線中所包括的PRAM單元進行擦除，以及

所述寫入操作的置位階段包括：在復位階段之后，將來自緩沖的所述第一數量的寫入請求的寫入數據寫入到第一字線的PRAM單元。

2.如權利要求1所述的存儲器系統，其中，所述存儲器系統還包括寫入緩沖器，并且

存儲器控制器被配置為將所述第一數量的寫入請求緩沖在寫入緩沖器中。

3.如權利要求2所述的存儲器系統，其中，存儲器控制器還被配置為：響應于確定被緩沖在寫入緩沖器中的寫入請求的所述第一數量等于參考數量，執行所述寫入操作。

4.如權利要求1所述的存儲器系統，其中，所述存儲器系統還包括有效性表，并且

存儲器控制器被配置為將元數據存儲在有效性表中，其中，所述元數據指示對于每個塊中的每條字線，該每條字線是有效的還是無效的。

5.如權利要求4所述的存儲器系統，其中，存儲器控制器還被配置為：選擇第一字線，使得第一字線是所述選擇的塊中的在所述有效性表中被識別為無效字線的字線。

6.如權利要求4所述的存儲器系統，其中，存儲器控制器還被配置為：從所述多個塊中選擇具有最高數量的在所述有效性表中被識別為無效字線的字線的塊作為所述選擇的塊。

7.如權利要求4所述的存儲器系統，其中，存儲器控制器還被配置為通過以下操作來執行所述擦除操作：

確定所述選擇的塊中的由所述有效性表識別為無效字線的字線的總數是否超過閾值，

響應于確定所述選擇的塊中的由所述有效性表識別為無效字線的字線的總數超過所述閾值，對所述選擇的塊執行逐位線塊擦除處理，以及

響應于確定所述選擇的塊中的由所述有效性表識別為無效字線的字線的總數不超過所述閾值，僅對所述選擇的塊中由所述有效性表識別為無效的字線執行逐字線擦除處理。

8.如權利要求1所述的存儲器系統，其中，包括在第一字線中的PRAM單元是單級單元SLC。

9.如權利要求1所述的存儲器系統，其中，包括在第一字線中的PRAM單元是多級單元MLC。

10.一種存儲器系統，包括：

存儲器控制器；和

存儲器裝置，包括存儲器單元陣列，

其中，存儲器單元陣列包括多條位線和多個塊，每個塊包括多條字線，每條字線包括被分別連接到所述多條位線的多個相變隨機存取存儲器PRAM單元，

存儲器控制器被配置為緩沖第一數量的寫入請求，并被配置為執行包括復位階段和后續置位階段的寫入操作，其中，所述第一數量的寫入請求中的每個寫入請求包括寫入數據，

存儲器控制器還被配置為使得：

復位階段包括：控制存儲器裝置根據包括在所述第一數量的寫入請求中的寫入數據，選擇性地將選擇的塊的兩條或更多條第一字線中所包括的PRAM單元中的PRAM單元的電阻率狀態復位為高電阻率狀態，以及

置位階段包括：控制存儲器裝置根據包括在所述第一數量的寫入請求中的寫入數據，選擇性地將所述兩條或更多條第一字線中所包括的PRAM單元中的PRAM單元的電阻率狀態置位為低電阻率狀態。