[發(fā)明專利]用于封裝的粘附增強結構

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• 申請日: 2019-07-30
• 公開（公告）號: CN110783279A
• 公開（公告）日: 2020-02-11
• 發(fā)明（設計）人: E·納佩特施尼格;李偉杰;林慧莉;F·倫納;M·羅加利
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L21/56
• 代理公司: 72002 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 鄔少俊

1.一種封裝(100)，包括具有焊盤(104)的電子芯片(102)，其中，所述焊盤(104)至少部分地被粘附增強結構(106)覆蓋，并且其中，所述焊盤(104)和所述粘附增強結構(106)具有至少一種共同的化學元素，特別是鋁。

2.根據(jù)權利要求1所述的封裝(100)，包括至少部分地覆蓋所述電子芯片(102)的電介質結構(108)。

3.根據(jù)權利要求2所述的封裝(100)，包括下述特征的至少其中之一：

其中，所述粘附增強結構(106)的至少部分直接被所述電介質結構(108)覆蓋；

其中，所述電介質結構(108)包括至少部分地包封所述電子芯片(102)的包封物或者由所述包封物構成，所述包封物特別是模制化合物。

4.根據(jù)權利要求1到3中的任何一項所述的封裝(100)，其中，所述粘附增強結構(106)包括由氧化鋁和氫氧化鋁構成的組中的至少一種。

5.根據(jù)權利要求1到4中的任何一項所述的封裝(100)，其中，所述焊盤(104)包括純鋁、鋁-銅、鋁-硅-銅、和具有氧化鋁涂層的銅的至少其中之一，或者由純鋁、鋁-銅、鋁-硅-銅、和具有氧化鋁涂層的銅的至少其中之一構成。

6.根據(jù)權利要求1到5中的任何一項所述的封裝(100)，其中，所述粘附增強結構(106)形成大體上均勻的層。

7.根據(jù)權利要求1到6中的任何一項所述的封裝(100)，其中，所述粘附增強結構(106)具有處于50nm和1000nm之間的范圍內、特別是處于100nm和700nm之間的范圍內的高度(h)。

8.根據(jù)權利要求1到7中的任何一項所述的封裝(100)，其中，所述粘附增強結構(106)包括粘附增強纖維或由所述粘附增強纖維構成，所述粘附增強纖維特別是納米纖維或微纖維的至少其中之一。

9.一種封裝(100)，包括：

芯片載體(110)；

安裝在所述芯片載體(110)上的電子芯片(102)；

覆蓋所述芯片載體(110)和所述電子芯片(102)的至少其中之一的表面(112)的至少部分的電介質結構(108)；

其中，所覆蓋的表面(112)的至少部分包括水熱形成的粘附增強結構(106)。

10.根據(jù)權利要求9所述的封裝(100)，其中，所述粘附增強結構(106)和所述表面(112)的至少其中之一包括鋁。

11.根據(jù)權利要求9或10所述的封裝(100)，包括將所述電子芯片(102)與所述芯片載體(110)電耦合并且具有至少部分地被所述電介質結構(108)覆蓋的表面(112)的連接元件(114)，其中，所述連接元件(114)的被覆蓋的表面(112)包括水熱形成的粘附增強結構(106)。

12.一種形成半導體封裝(100)的方法，所述方法包括：

提供基于鋁的表面(112)；

通過借助于水熱工藝形成粘附增強結構(106)而使所述表面(112)粗糙。

13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中，所述方法包括形成包括鋁的所述粘附增強結構(106)。

14.根據(jù)權利要求12或13所述的方法，其中，所述方法包括在導電表面(112)上形成所述粘附增強結構(106)。

15.根據(jù)權利要求12到14中的任何一項所述的方法，其中，所述方法包括將所述表面(112)的材料轉換成所述粘附增強結構(106)的至少部分。