[發明專利]具備清潔功能的半導體工藝設備及其清潔方法

有效

• 申請號: 201910709772.5
• 申請日: 2019-08-02
• 公開（公告）號: CN110400736B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 金亨源;鄭明教;鄭熙錫
• 申請（專利權）人: 吉佳藍科技股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;B08B9/093
• 代理公司: 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722
• 代理人: 馮志云;李英艷

1.一種具備清潔功能的半導體工藝設備，其中，所述具備清潔功能的半導體工藝設備包括：

腔室，在內部提供基板處理空間；

第一排氣部，從所述腔室內部排放工藝氣體；

第一供氣部，向所述腔室內部供應惰性氣體；

第二供氣部，向所述腔室內部供應清潔氣體而在所述腔室內部產生煙氣；以及，

第二排氣部，從所述腔室內部排放所述惰性氣體、所述清潔氣體、所述煙氣或者混合氣體，所述混合氣體混合有所述惰性氣體、所述清潔氣體和所述煙氣，

所述第二排氣部包括：

抽吸風扇，調節所述惰性氣體、所述清潔氣體、所述煙氣或者所述混合氣體的排放量，

所述半導體工藝設備還包括：

控制部，控制所述抽吸風扇的旋轉速度；以及

檢測裝置，設置于所述第二排氣部，并且檢測所述煙氣的殘留量，

所述檢測裝置檢測的所述煙氣的殘留量的值輸入至所述控制部，將輸入的值與基準設定值進行比較來調節所述抽吸風扇的旋轉速度。

2.根據權利要求1所述的具備清潔功能的半導體工藝設備，其中，

所述第二排氣部包括：

排氣閥，連接于所述腔室并開閉所述惰性氣體、所述清潔氣體、所述煙氣或者所述混合氣體的排放。

3.根據權利要求1所述的具備清潔功能的半導體工藝設備，其中，

所述控制部分別控制所述第一排氣部、所述第一供氣部、所述第二供氣部及所述第二排氣部中的一個以上，或者關聯控制所述第一排氣部、所述第一供氣部、所述第二供氣部和所述第二排氣部中的兩個以上。

4.根據權利要求1所述的具備清潔功能的半導體工藝設備，其中，

從所述檢測裝置向所述控制部輸入檢測到的所述殘留量的值，所述控制部基于被輸入的所述值控制所述第二供氣部及所述第二排氣部的驅動。

5.根據權利要求1所述的具備清潔功能的半導體工藝設備，其中，

所述半導體工藝設備還包括加熱裝置，所述加熱裝置設置于所述第二供氣部或所述第二排氣部側，并且加熱所述煙氣。

6.一種半導體工藝設備的清潔方法，利用包括連接于腔室的第一排氣部、第一供氣部、第二供氣部及第二排氣部的半導體工藝設備來去除存在于所述腔室內部的煙氣，其中，所述清潔方法包括以下步驟：

從所述第一供氣部向所述腔室內部供應惰性氣體，直至所述腔室內部達到基準設定壓力；

在所述腔室內部的壓力達到所述基準設定壓力之后，中斷來自所述第一供氣部的所述惰性氣體的供應；

啟動所述第二排氣部，在所述腔室內部形成氣流，以使得所述腔室內部的所述惰性氣體向所述腔室外部排放；以及，

從所述第二供氣部向所述腔室內部供應清潔氣體，

所述第二排氣部包括抽吸風扇，

形成所述氣流的步驟將設置于所述第二排氣部的檢測裝置檢測的所述煙氣的殘留量的值與基準設定值進行比較來調節所述抽吸風扇的旋轉速度從而調節所述惰性氣體的排放量。

7.根據權利要求6所述的半導體工藝設備的清潔方法，其中，

在供應所述清潔氣體的步驟中，清潔氣體代替所述惰性氣體而保持所述腔室內部的壓力比所述腔室外部的壓力小，由此從所述第二供氣部向所述腔室內部持續流入所述清潔氣體。