[發(fā)明專利]基板形成通孔的制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910707320.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112312660A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭肯華;丁鴻泰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 睿明科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05K3/00 | 分類號(hào): | H05K3/00;H05K3/42 |
| 代理公司: | 北京申翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11214 | 代理人: | 黃超;周春發(fā) |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣桃*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 形成 制作方法 | ||
本發(fā)明中基板形成通孔的制作方法具有下列步驟:提供一基板;于基板一表面形成一圖案化阻擋層,以形成多個(gè)開(kāi)口,復(fù)數(shù)開(kāi)口暴露部分基板;干蝕刻步驟,以移除被復(fù)數(shù)開(kāi)口所暴露的部分基板而形成復(fù)數(shù)通孔;以及去除圖案化阻擋層,本發(fā)明以干蝕刻方式形成通孔,可同時(shí)間形成大量鉆孔,不會(huì)因?yàn)橥酌芏却笮《绊懥慨a(chǎn)效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)一種同時(shí)間形成大量鉆孔,可形成高密度及小尺寸的通孔制作方法。
背景技術(shù)
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,航空工業(yè)、國(guó)防工業(yè)、機(jī)械、積體電路板、汽車、精密儀器、鐘表和珠寶等行業(yè),對(duì)于產(chǎn)品精細(xì)化程度的要求日漸提高,在產(chǎn)品制造過(guò)程中,需要鉆制的零部件越來(lái)越多。目前,常用的微孔加工主要有鉆、沖、銑削等機(jī)械加工方式以及放電加工、超音波、雷射、電解、電子束加工等特殊加工方式。
另種雷射加工方式,于欲鉆制微孔的零部件處照射雷射光線,形成埋設(shè)電極的通孔,而在通孔埋入與電極連接的銅或鋁等導(dǎo)電性材料;惟,雷射加工方式成本過(guò)高且效率較差,再者,隨著電路密集度提升,線寬線距減小,通孔尺寸越來(lái)越小,密度越來(lái)越高,通常一片板材有上千萬(wàn)個(gè)通孔需要進(jìn)行加工,雷射設(shè)備需求量相當(dāng)龐大,造成生產(chǎn)成本大為增加,同樣無(wú)法符合細(xì)微化及大量化的需求。另外,針對(duì)同時(shí)間形成大量鉆孔,雷射加工方式射發(fā)展出一種雷射多孔照射系統(tǒng),其與傳統(tǒng)雷射加工方式相比,與被加工物之間多了一光掩膜。光掩膜上具有所需通孔的圖案,因此,只需單一照射即可于被加工物上形成多個(gè)通孔。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種同時(shí)間形成大量鉆孔,可形成高密度及小尺寸的通孔制作方法,為其主要目的。
為達(dá)上揭目的,本發(fā)明基板形成通孔的制作方法具有下列步驟:提供一基板;于基板一表面形成一圖案化阻擋層,以形成多個(gè)開(kāi)口,復(fù)數(shù)開(kāi)口暴露部分基板;干蝕刻步驟,以移除被復(fù)數(shù)開(kāi)口所暴露的部分基板而形成復(fù)數(shù)通孔;以及去除圖案化阻擋層。
在一較佳態(tài)樣中,形成圖案化阻擋層中進(jìn)一步包含下列步驟:于基板一側(cè)表面設(shè)置光阻層;圖案化光阻層步驟,以形成多個(gè)窗口,復(fù)數(shù)窗口暴露部分基板;鍍膜步驟,以形成一阻擋層,阻擋層覆蓋于被圖案化的光阻層以及暴露于復(fù)數(shù)窗口的部分基板上;以及移除步驟,被圖案化的光阻層及其上方的阻擋層,以形成圖案化阻擋層。
本發(fā)明提供另一種基板形成通孔的制作方法,至少具有下列步驟:提供一基板,其相對(duì)的二表面分別預(yù)先設(shè)置有一阻擋層;于基板的其中一表面形成一圖案化阻擋層,以形成多個(gè)開(kāi)口,多個(gè)開(kāi)口暴露部分基板;干蝕刻步驟,以移除被多個(gè)開(kāi)口所暴露的部分基板,而形成復(fù)數(shù)通孔,復(fù)數(shù)通孔僅貫通于基板而停止于另一表面的阻擋層上;以及電鍍填孔步驟,于復(fù)數(shù)通孔內(nèi)鍍銅。
在一較佳態(tài)樣中,阻擋層選自于銅、鋁、氮化硅或其組合物。
在一較佳態(tài)樣中,干蝕刻步驟中進(jìn)一步包含下列步驟:提供一處理腔室,處理腔室具有一上電極板及一下電極板,上電極板與下電極板間為一電漿產(chǎn)生區(qū)域;將基板放置于處理腔室內(nèi);提供一反應(yīng)氣體于處理腔室內(nèi);提供電源至上電極板及下電極板,傳送一數(shù)量的電磁能量至反應(yīng)氣體,以在電漿產(chǎn)生區(qū)域中形成電漿;以及提供一磁控模組,用以控制電漿于處理腔室內(nèi)旋轉(zhuǎn)。
在另一較佳態(tài)樣中,反應(yīng)氣體選自于氬氣、氧氣、CF4或SF6或其混合氣體。
在另一較佳態(tài)樣中,磁控模組進(jìn)一步包含有至少一磁性體以及一動(dòng)力件,動(dòng)力件可帶動(dòng)磁性體于上電極板下方形成旋轉(zhuǎn)。
在一較佳態(tài)樣中,基板為軟性材質(zhì)。
在一更佳態(tài)樣中,軟性材質(zhì)為聚酰亞胺(Polyimide,PI)或聚酯(Polyester,PET)。
在一較佳態(tài)樣中,提供基板以卷對(duì)卷方式進(jìn)行。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明中通孔制作方法的第一實(shí)施例流程步驟示意圖。
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