[發明專利]一種芯片轉移裝置及芯片轉移方法

在審

• 申請號: 201910706768.3
• 申請日: 2019-08-01
• 公開（公告）號: CN112309948A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 張敏剛;李嘉宸;甘舟;施文杰
• 申請（專利權）人: 陜西坤同半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L33/62
• 代理公司: 西安亞信智佳知識產權代理事務所(普通合伙) 61241
• 代理人: 任月娜

本公開實施例是關于一種芯片轉移裝置及芯片轉移方法。該芯片轉移裝置包括第一滾輪和第二滾輪，其中，第一滾輪表面包括規則排列的多個第一磁性吸附區，以將LED陣列基板上的多個LED芯片分別吸附至對應的第一磁性吸附區；第二滾輪與第一滾輪間隔預設距離并相對轉動，第二滾輪表面包括規則排列的多個第二磁性吸附區，以將吸附于多個第一磁性吸附區的LED芯片分別吸附至對應的第二磁性吸附區；第二滾輪還用于與驅動電路基板相對運動，以將其吸附的多個LED芯片分別轉移至驅動電路基板上的對應位置處。本公開實施例，一方面，可以提高LED芯片的轉移效率；另一方面，滾輪可以重復利用，有利于降低LED芯片的轉移成本。

技術領域

本公開實施例涉及半導體技術領域，尤其涉及一種芯片轉移裝置及芯片轉移方法。

背景技術

Micro-LED(微型發光二極管)的顯示原理是將傳統的LED結構設計進行微縮化、陣列化、薄膜化，然后通過巨量轉移技術將大量(通常為幾萬至幾十萬)Micro-LED晶粒批量轉移到電路板上，利用物理沉積制造保護層來完成封裝，最終完成結構簡單的Micro-LED顯示。但如何將成千上萬顆乃至更多的Micro-LED晶粒轉移至電路基板上，仍是Micro-LED難以解決的核心技術之一。

目前現有的Micro-LED批量轉移技術包括范德華力、相變化、靜電吸附、激光燒灼和薄膜轉移等方法，但都存在著多次轉移良率低，對位不準確或需要特定中間層或剝離層等缺點。

因此，有必要改善上述相關技術方案中存在的一個或者多個問題。

需要注意的是，本部分旨在為權利要求書中陳述的本公開的實施方式提供背景或上下文。此處的描述不因為包括在本部分中就承認是現有技術。

發明內容

本公開實施例的目的在于提供一種芯片轉移裝置及芯片轉移方法，進而至少在一定程度上克服由于相關技術的限制和缺陷而導致的一個或者多個問題。

根據本公開實施例的第一方面，提供一種芯片轉移裝置，包括：

第一滾輪，表面包括規則排列的多個第一磁性吸附區，以將LED陣列基板上的多個LED芯片分別吸附至對應的所述第一磁性吸附區；

第二滾輪，與所述第一滾輪間隔預設距離并相對轉動，所述第二滾輪表面包括規則排列的多個第二磁性吸附區，以將吸附于所述多個第一磁性吸附區的LED芯片分別吸附至對應的所述第二磁性吸附區；

所述第二滾輪，還用于與驅動電路基板相對運動，以將其吸附的多個LED芯片分別轉移至所述驅動電路基板上的對應位置處。

在一個實施例中，所述第二磁性吸附區的磁力大于所述第一磁性吸附區的磁力。

在一個實施例中，所述多個第一磁性吸附區和第二磁性吸附區設置有磁體。

在一個實施例中，所述磁體是永磁體或電磁體。

在一個實施例中，所述第二滾輪表面包括規則排列的多個凹槽，所述多個第二磁性吸附區分別位于對應的所述多個凹槽的底部。

在一個實施例中，所述LED芯片的相對的第一表面和第二表面均包括磁性吸附部；

所述第一滾輪，用以通過所述第一表面的磁性吸附部將所述多個LED芯片分別吸附至對應的所述第一磁性吸附區；

所述第二滾輪，用以通過所述第二表面的磁性吸附部將所述多個LED芯片分別吸附至對應的所述第二磁性吸附區。

在一個實施例中，所述驅動電路基板上表面包括多個間隔分布的電極，所述電極包括磁性吸附部，以將所述第二滾輪吸附的多個所述LED芯片吸附轉移至所述驅動電路基板。

在一個實施例中，所述預設距離與所述LED芯片的厚度匹配。