[發(fā)明專利]像素陣列布局有效
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910705274.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-01 |
公開(公告)號(hào): | CN111199989B | 公開(公告)日: | 2022-05-24 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 游騰健 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 精準(zhǔn)基因生物科技股份有限公司 |
主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 羅英;臧建明 |
地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新北市淡*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 像素 陣列 布局 | ||
本發(fā)明提出一種像素陣列布局包括多個(gè)子像素陣列。所述多個(gè)子像素陣列陣列排列以形成該像素陣列。所述多個(gè)子像素陣列各別包括子像素陣列。子像素陣列包括陣列排列的多個(gè)重復(fù)單元。所述多個(gè)重復(fù)單元分別選擇紅色子像素、綠色子像素以及藍(lán)色子像素的至少其中之一,以及選擇第一紅外光子像素以及第二紅外光子像素的其中之一來(lái)組成。第一紅外光子像素接收一垂直偏極化紅外光,并且第二紅外光子像素接收水平偏極化紅外光。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種布局,尤其涉及一種關(guān)于RGB-IR圖像傳感器的像素陣列布局。
背景技術(shù)
隨著圖像感測(cè)技術(shù)的演進(jìn),各種圖像傳感器被不斷地被設(shè)計(jì)出來(lái),并且被廣泛地應(yīng)用于例如圖像感測(cè)、距離感測(cè)、指紋感測(cè)、人臉感測(cè)等諸如此類的感測(cè)應(yīng)用。然而,特別是在RGB-IR圖像傳感器的設(shè)計(jì)過(guò)程中,由于RGB-IR圖像傳感器必須搭載有紅外光(Infrared,IR)子像素的感測(cè)單元,以實(shí)現(xiàn)紅外光的感測(cè)功能,因此如何設(shè)計(jì)有良好的像素陣列布局架構(gòu),以有效地整合紅外光子像素至RGB像素陣列中是目前本領(lǐng)域主要的研究與設(shè)計(jì)方向之一。有鑒于此,以下將提出幾個(gè)實(shí)施例的解決方案。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素陣列布局,可實(shí)現(xiàn)在RGB-IR圖像傳感器的像素陣列中配置有紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素以及紅外光子像素。
本發(fā)明的像素陣列布局包括多個(gè)子像素陣列。多個(gè)子像素陣列陣列排列以形成像素陣列。所述多個(gè)子像素陣列各別包括子像素陣列。子像素陣列包括陣列排列的多個(gè)重復(fù)單元。所述多個(gè)重復(fù)單元分別選擇紅色子像素、綠色子像素以及藍(lán)色子像素的至少其中之一,以及選擇第一紅外光子像素以及第二紅外光子像素的其中之一來(lái)組成。第一紅外光子像素用以接收垂直偏極化紅外光。第二紅外光子像素用以接收水平偏極化紅外光。所述多個(gè)重復(fù)單元各別的紅色子像素、綠色子像素以及藍(lán)色子像素的至少其中之一與第一紅外光子像素以及第二紅外光子像素的其中之一的受光區(qū)域?yàn)槠叫谢蛑丿B。
基于上述,本發(fā)明的像素陣列布局,可在像素陣列中的多個(gè)子像素陣列中配置有陣列排列的多個(gè)重復(fù)單元,并且所述多個(gè)重復(fù)單元可分為具有第一紅外光子像素以及具有第二紅外光子像素的兩種態(tài)樣。第一紅外光子像素用以接收垂直偏極化紅外光,并且第二紅外光子像素用以接收水平偏極化紅外光。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。
附圖說(shuō)明
圖1是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素陣列布局的示意圖;
圖2是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素陣列布局的示意圖;
圖3是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的像素陣列布局的俯視示意圖;
圖4A是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的一重復(fù)單元的側(cè)視剖面示意圖;
圖4B是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的另一重復(fù)單元的側(cè)視剖面示意圖;
圖5是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的像素陣列布局的俯視示意圖;
圖6是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的像素陣列布局的側(cè)視剖面示意圖。
附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明:
100、200、300、500:子像素陣列
101~104、201~204、301、302、501、502:重復(fù)單元
310、510、550:感光層
320:氧化層
330、520:濾光層
530:微透鏡層
531:微透鏡
540:介質(zhì)層
CR、CR’:紅色顏色濾波器
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的