[發(fā)明專(zhuān)利]光擴(kuò)散片的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910703385.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110346855B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 國(guó)成立;戴付建;趙烈烽 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 浙江舜宇光學(xué)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G02B5/02 | 分類(lèi)號(hào): | G02B5/02;G03F7/20;G03F7/30 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 白雪 |
| 地址: | 315499 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 擴(kuò)散 制備 方法 | ||
1.一種光擴(kuò)散片的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
在襯底(100)表面形成光刻膠層(21),定義所述光刻膠層(21)具有中心區(qū)域和外圍區(qū)域,所述外圍區(qū)域包括n個(gè)第一外圍區(qū)域和n+1個(gè)第二外圍區(qū)域,所述第一外圍區(qū)域和所述第二外圍區(qū)域均環(huán)繞所述中心區(qū)域且交替設(shè)置,n為≥1的自然數(shù);
對(duì)所述光刻膠層(21)順序進(jìn)行曝光和顯影,以將所述中心區(qū)域性形成微結(jié)構(gòu)層(10),并將所述第一外圍區(qū)域和所述第二外圍區(qū)域形成具有凹槽(12)的防溢膠結(jié)構(gòu)(11),所述防溢膠結(jié)構(gòu)(11)環(huán)繞所述微結(jié)構(gòu)層(10),其中,對(duì)所述中心區(qū)域的曝光強(qiáng)度小于對(duì)所述第一外圍區(qū)域的曝光強(qiáng)度,且對(duì)所述第二外圍區(qū)域的曝光強(qiáng)度小于對(duì)所述第一外圍區(qū)域的曝光強(qiáng)度,
所述第一外圍區(qū)域?yàn)殚g隔設(shè)置的多個(gè),對(duì)所述光刻膠層(21)進(jìn)行曝光并顯影,以將所述第一外圍區(qū)域和所述第二外圍區(qū)域形成多個(gè)所述凹槽(12),各凹槽(12)結(jié)構(gòu)間隔設(shè)置并環(huán)繞所述微結(jié)構(gòu)層(10)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,在所述襯底(100)表面旋涂正性光刻膠,以得到所述光刻膠層(21)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法,其特征在于,所述光刻膠層(21)的厚度為5~80μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,對(duì)所述光刻膠層(21)進(jìn)行曝光并顯影,以將所述中心區(qū)域形成具有周期性微結(jié)構(gòu)陣列或隨機(jī)分布微結(jié)構(gòu)陣列的所述微結(jié)構(gòu)層(10)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的制備方法,其特征在于,所述中心區(qū)域?yàn)榫匦危鲋行膮^(qū)域的長(zhǎng)度為1.6~4mm,寬度為0.8~2mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,對(duì)所述光刻膠層(21)進(jìn)行曝光并顯影,以使襯底(100)表面中與所述第一外圍區(qū)域?qū)?yīng)的部分裸露,裸露的部分構(gòu)成所述凹槽(12)的底面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,
在對(duì)所述光刻膠層(21)進(jìn)行曝光的步驟中,將所述襯底(100)水平放置,并使光線(xiàn)與所述第一外圍區(qū)域的表面之間具有傾斜角,以使所述第一外圍區(qū)域在顯影后形成針尖狀結(jié)構(gòu);或
在對(duì)所述光刻膠層(21)進(jìn)行曝光的步驟中,將所述襯底(100)傾斜放置,并使光線(xiàn)與第一外圍區(qū)域的表面垂直,以使所述第一外圍區(qū)域在顯影后形成針尖狀結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,在對(duì)所述光刻膠層(21)進(jìn)行曝光的步驟中,對(duì)各所述第一外圍區(qū)域的曝光強(qiáng)度不相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述襯底(100)為硅層、碳化硅層、石英層、樹(shù)脂層、導(dǎo)電玻璃層和陶瓷層中的任一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述襯底(100)的厚度為0.4~0.6mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,在形成所述光刻膠層(21)的步驟之前,所述制備方法還包括對(duì)所述襯底(100)進(jìn)行高溫烘烤的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,對(duì)曝光后的所述光刻膠層(21)進(jìn)行顯影,顯影液包括TMAH。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,在對(duì)所述光刻膠層(21)進(jìn)行曝光的步驟中,對(duì)所述第一外圍區(qū)域的曝光強(qiáng)度恒定。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,對(duì)所述光刻膠層(21)順序進(jìn)行曝光并顯影,以形成所述微結(jié)構(gòu)層(10),所述制備方法還包括以下步驟:以所述微結(jié)構(gòu)層(10)為掩膜層對(duì)所述襯底(100)進(jìn)行刻蝕,以在所述襯底(100)表面形成微結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,對(duì)所述光刻膠層(21)順序進(jìn)行曝光并顯影,以形成所述微結(jié)構(gòu)層(10),所述制備方法還包括以下步驟:以所述微結(jié)構(gòu)層(10)為掩膜層對(duì)所述襯底(100)進(jìn)行電鑄以制作金屬母版。
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