[發明專利]一種石墨烯/六硼化鑭復合薄膜、制備方法及應用有效
| 申請號: | 201910702525.2 | 申請日: | 2019-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN110408908B | 公開(公告)日: | 2021-04-20 |
| 發明(設計)人: | 張琳;慈立杰;趙國慶;徐宙;王新秀 | 申請(專利權)人: | 山東大學 |
| 主分類號: | C23C16/26 | 分類號: | C23C16/26;C23C16/455;C23C16/56;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司: | 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221 | 代理人: | 張曉鵬 |
| 地址: | 250061 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 石墨 六硼化鑭 復合 薄膜 制備 方法 應用 | ||
1.一種石墨烯/六硼化鑭復合薄膜,其特征在于,所述復合薄膜采用硅或石英玻璃為基底,基底表面具有石墨烯/六硼化鑭復合薄膜;
所述石墨烯/六硼化鑭復合薄膜的制備方法為:通過氣相沉積法在銅襯底上沉積得到石墨烯,將石墨烯轉移到硅或石英玻璃基底上,通過磁控濺射在基底上獲得GN/LaB6復合薄膜;
所述氣相沉積具體步驟如下:將管式爐內抽真空處理,通入氫氣和氬氣,升溫至1000~1200℃后保溫一段時間,通入甲烷、關閉氬氣,待石墨烯生長完成后,隨爐冷卻至室溫;所述氫氣和氬氣的流量比為H2:Ar=10~30:900~1100;所述升溫采取階段性升溫方式;通入甲烷時間為10~20min;所述甲烷和氫氣的流量比為4:20;
所述磁控濺射的功率為42W,時間為4min,所述磁控濺射完成后還包括熱處理步驟,所述熱處理為600℃下保溫1h。
2.如權利要求1所述石墨烯/六硼化鑭復合薄膜,其特征在于,隨爐冷卻至室溫后,繼續通一段時間氬氣,使爐內壓強接近大氣壓。
3.如權利要求1所述石墨烯/六硼化鑭復合薄膜,其特征在于,所述石墨烯轉移采用PMMA輔助法。
4.如權利要求3所述石墨烯/六硼化鑭復合薄膜,其特征在于,采用PMMA的氯代苯溶液將銅襯底上的石墨烯轉移至基底上。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東大學,未經山東大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910702525.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





