[發明專利]顯示面板及其制備方法有效
| 申請號: | 201910700337.6 | 申請日: | 2019-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN110491913B | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發明(設計)人: | 蔣謙 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板,所述顯示面板包括柔性襯底和依次設置在所述柔性襯底上的薄膜晶體管陣列結構層、有機發光結構層和封裝結構層,其特征在于,所述顯示面板包括通孔,所述通孔貫穿所述薄膜晶體管陣列結構層和所述柔性襯底;
所述有機發光結構層和所述封裝結構層包覆所述通孔的周側壁;以及
設置在所述薄膜晶體管陣列結構層上且環繞所述通孔設置的阻擋壩。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述阻擋壩包括至少一個第一阻擋壩和至少一個第二阻擋壩;所述第二阻擋壩靠近所述通孔,所述第一阻擋壩設置在所述第二阻擋壩遠離所述通孔的一側,用于隔斷有機發光結構層。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,在所述第一阻擋壩的豎直截面中,所述第一阻擋壩的寬度自靠近所述柔性襯底的一端向遠離所述柔性襯底的一端遞增。
4.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,在所述第二阻擋壩的豎直截面中,所述第二阻擋壩的寬度自靠近所述柔性襯底的一端向遠離所述柔性襯底的一端遞減。
5.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,相鄰兩個所述第二阻擋壩之間的距離大于所述第二阻擋壩的高度。
6.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供一基板,所述基板包括至少一個預定開孔區域;
在所述預定開孔區域上設置至少一層凸起環,并在所述基板上形成覆蓋所述凸起環的柔性襯底;
在所述柔性襯底上形成薄膜晶體管陣列結構層,其中所述薄膜晶體管陣列結構層對應于所述預定開孔區域的部分形成通孔;
在所述薄膜晶體管陣列結構層上形成同層設置的像素定義層和阻擋壩,所述阻擋壩圍設在所述通孔的外周側;
沿著所述凸起環的延伸方向切割所述柔性襯底,并去除所述柔性襯底設置在所述凸起環內的部分,使所述通孔貫穿所述柔性襯底;
在所述像素定義層上依次形成有機發光結構層和封裝結構層,其中,所述有機發光結構層和所述封裝結構層,包覆所述通孔的周側壁和所述基板對應所述通孔的表面;
剝離所述基板,使覆蓋在所述基板的預定開孔區域上的膜層脫落。
7.根據權利要求6所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述凸起環包括第一凸起環和第二凸起環,所述柔性襯底包括第一襯底和第二襯底;
所述在所述預定開孔區域上設置凸起環,并在所述基板上形成覆蓋所述凸起環的柔性襯底,包括以下步驟:
在所述預定開孔區域上設置第一凸起環;
在所述基板上形成覆蓋所述第一凸起環的第一柔性襯底;
在所述第一柔性襯底上設置第二凸起環;
在所述第一柔性襯底上形成覆蓋所述第二凸起環的第二柔性襯底,所述第二凸起環于所述基板的正投影套設在所述第一凸起環于所述基板的正投影的外周側。
8.根據權利要求6或7所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述阻擋壩包括至少一個第一阻擋壩和至少一個第二阻擋壩;所述第二阻擋壩靠近所述通孔,所述第一阻擋壩設置在所述第二阻擋壩遠離所述通孔的一側,用于隔斷有機發光結構層;
在所述第一阻擋壩的豎直截面中,所述第一阻擋壩的寬度自靠近所述基板的一端向遠離所述基板的一端遞增;
在所述第二阻擋壩的豎直截面中,所述第二阻擋壩的寬度自靠近所述基板的一端向遠離所述基板的一端遞減。
9.根據權利要求8所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,相鄰兩個所述第二阻擋壩之間的距離大于所述第二阻擋壩的高度。
10.根據權利要求6所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,在所述沿著所述凸起環的延伸方向切割所述柔性襯底,并去除所述柔性襯底設置在所述凸起環內的部分,使所述通孔貫穿所述柔性襯底,包括:
在保護氣的條件下,對所述柔性襯底進行切割,且切割設備的吹掃噴頭的周側設置有廢氣抽取器,用于抽取切割過程中產生的塵埃和廢氣。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





